1.一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关S1、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；其中：所述紫外光接收模块的输出端连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块的输出端连接测量开关S1，开关S1的另一端分别连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块的输入端，忆阻器阵列模块的输出端与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；

所述紫外光接收模块包括偏置电压V1、保护电阻R1、雪崩二极管APD和紫外偏振片；其中：偏置电压V1的输出端连接保护电阻R1，保护电阻R1的另一端连接雪崩二极管APD，紫外偏振片覆在雪崩二极管表面，雪崩二极管的输出端连接忆阻器放大模块的输入端。

2.如权利要求1所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器放大模块包括远算放大器A1、忆阻器Ms1、忆阻器Ms2、电阻R2、电容C1和运算放大器A1正供电电源VCC1和负供电电源VCC2；其中：所述运算放大器A1的反相端与紫外光接收模块中的雪崩二极管输出端连接，运算放大器A1的反相端同时与忆阻器Ms1非参杂端连接和电容C1连接，忆阻器Ms1参杂端与忆阻器Ms2参杂端连接，电容C1的另一端以及忆阻器Ms2的非参杂端均与运算放大器A1的输出端连接，运算放大器A1的同相端与电阻R2连接，电阻R2的另一端接地，运算放大器A1的输出端与测量开关S1连接。

3.如权利要求1所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器阵列模块包括n个忆阻器阵列块，其中n为大于等于2且小于等于8的自然数；每个忆阻器阵列块都包括m个反向并联忆阻器和m个正向并联忆阻器，其中m为大于等于2且小于等于10的自然数；这m个反向并联忆阻器的非参杂端都与m个正向并联忆阻器的非参杂端连接；第1个忆阻器阵列块中的m个反向并联忆阻器的参杂端均与开关S1另一端连接；第n个忆阻器阵列块中的m个正向忆阻器的参杂端均接地；每个忆阻器阵列块中的m个正向忆阻器的参杂端均与其下一个忆阻器阵列块中的m个反向并联忆阻器的参杂端相连接。

4.如权利要求1所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器复位模块包括电源V2、电阻R3和开关S2；所述忆阻器阵列模块的两端分别引出点A和点B，忆阻器阵列模块中，第1个忆阻器阵列块的m个反向并联忆阻器参杂端均与A连接，第n个忆阻器阵列块的m个正向并联忆阻器参杂端均与B连接，点A另一端与电源V2的负极和测量开关S1连接，点B的另一端接地并与开关S2连接，电源V2的正极与电阻R3连接，电源V2正极连接电阻R3，电阻R3另一端与开关S2另一端连接。

5.如权利要求1所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器误差调理模块包括运算放大器A2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电源V3、电源V4、单刀双掷开关S3、忆阻器Mz1、忆阻器Mz2、电阻R8，以及运算放大器A2正供电电源VSS1和负供电电源VSS2；其中：所述运算放大器A2的反向端与电阻R5和电阻R6连接，电阻R5的另一端与第n个忆阻器阵列块的m个反向并联忆阻器非参杂端、第n个忆阻器阵列块的m个正向并联忆阻器非参杂端连接，电阻R6的另一端与运算放大器A2的输出端连接；

运算放大器A2的同向端与电阻R4和电阻R7连接，R7的另一端接地，电阻R4的另一端与忆阻器Mz1的非参杂端和电阻R8连接，忆阻器Mz1的参杂端与忆阻器Mz2的参杂端连接，忆阻器Mz2的非参杂端与开关S3连接，电阻R8的另一端与电源V3正极、电源V4负极连接，电源V3负极、电源V4正极与开关S3另一端连接。

6.如权利要求1～5任一所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器为惠普忆阻器。