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专利号: 201911053848X
申请人: 天津理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种化合物钡碲氟羟基非线性光学晶体,其特征在于该晶体的分子式为BaF2Te(OH)4,分子量为371.14,属于正交晶系,空间群为Pmn21,单胞参数为a = 7.5320(8)  Å,b = 

8.6766(9) Å,c = 4.2188(4) Å,Z= 3。

2.根据权利要求1所述的钡碲氟羟基非线性光学晶体的制备方法,其特征在于采用水热法制备晶体,具体操作按下列步骤进行:a、将BaF2加入到体积为25‑125mL的高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中,加入TeO2,再加入去离子水3‑50 mL,最后加入HF(40%)0.3‑5 ml,使其充分混合均匀,得到混合液,其中BaF2和TeO2摩尔比为1‑5:5‑10;b、将步骤a中混合溶液所在的聚四氟乙烯内衬的盖子旋紧,再装入相应的高压反应釜中,将反应釜活塞旋紧;

c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内,升温至150‑230℃,恒温一段时间,再冷却至室温;

d、打开高压反应釜,将含有晶体的溶液过滤,即得到透明的钡碲氟羟基非线性光学晶体。

3.根据权利要求2所述的方法,步骤a中的BaF2可替换为醋酸钡、溴化钡、氯化钡、硫酸钡、硝酸钡和草酸钡中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的方法,步骤a中的TeO2可替换为碲酸或高碲酸。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于步骤c中将溶液放在干净无污染的高压反应釜。

6.根据权利要求1所述的钡碲氟羟基非线性光学晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。