1.基于高斯金字塔的EPR电缆绝缘老化状态测评方法，其特征在于，包括第一步：采集实际运行电缆与待检测电缆的局部放电谱图信息将实际运行电缆和待检测电缆分别加压20kV，进行h次局部放电谱图采集，将从实际运行电缆中采集的谱图标号记为F(t,a)，将从待检测电缆中采集的谱图标号记为Ca，t表示电缆实际运行t年，a表示第a次局部放电谱图采集；t，a均为实数，t∈{2,5,7,10}，a∈[1,h]，h≥

50；

第二步：提取老化特征因子，包括

1)对采集局部放电谱图F(t,a)和谱图Ca分别进行灰度化处理，将灰度化处理后的谱图分别记为GF(t,a)和GCa，灰度化的过程如下：记F(t,a)中红色像素值坐标为r‑f(t,a)(i,j)，绿色像素值坐标为g‑f(t,a)(i,j)，蓝色像素值坐标为b‑f(t,a)(i,j)；灰度化后，GF(t,a)中像素值坐标gf(t,a)(i,j)为i，j分别为谱图GF(t,a)像素的横、纵坐标，i，j均为实数，i∈[1,32]，j∈[1,32]；

记Ca中红色像素值坐标为r‑ca(p,q)，绿色像素值坐标为g‑ca(p,q)，蓝色像素值坐标为b‑ca(p,q)；灰度化后，GCa中像素值坐标gca(p,q)为 p，q分别为谱图GCa像素的横、纵坐标，p，q均为实数，p∈[1,32]，q∈[1,32]；

2)对谱图GF(t,a)和谱图GCa分别进行降维处理，将降维处理后的谱图分别记为GF(t,a,n)和GC(a,n)，n为降维次数，n为实数，n∈{1,2,3}，记GF(t,a,n)中像素值坐标为gf(t,a,n)(in,jn)，记GC(a,n)中像素值坐标为gc(a,n)(pn,qn)；降维处理的过程如下：其中，α1∈i，且α1为偶数；β1∈j，且β1为偶数；i1，j1分别为谱图GF(t,a,1)像素的横、纵坐标，i1，j1均为实数，i1∈[1,16]，j1∈[1,16]；gf(t,a,1)(i1,j1)为一次降维谱图GF(t,a,1)的像素值坐标；μ1∈p，且μ1为偶数；λ1∈q，且λ1为偶数；p1，q1分别为谱图GC(a,1)像素的横、纵坐标，p1，q1均为实数，p1∈[1,16]，q1∈[1,16]；gc(a,1)(p1,q1)为一次降维谱图GC(a,1)的像素值坐标；

其中，α2∈i1，且α2为偶数；β2∈j1，且β2为偶数；i2，j2分别为谱图GF(t,a,2)像素的横、纵坐标，i2，j2均为实数，i2∈[1,8]，j2∈[1,8]；gf(t,a,2)(i2,j2)为二次降维谱图GF(t,a,2)的像素值坐标；μ2∈p1，且μ2为偶数；λ2∈q1，且λ2为偶数；p2，q2分别为谱图GC(a,2)像素的横、纵坐标，p2，q2均为实数，p2∈[1,8]，q2∈[1,8]；gc(a,2)(p2,q2)为二次降维谱图GC(a,2)的像素值坐标；

其中，α3∈i2，且α3为偶数；β3∈j2，且β3为偶数；i3，j3分别为谱图GF(t,a,3)像素的横、纵坐标，i3，j3均为实数，i3∈[1,4]，j3∈[1,4]；gf(t,a,3)(i3,j3)为三次降维谱图GF(t,a,3)的像素值坐标；μ3∈p2，且μ3为偶数；λ3∈q2，且λ3为偶数；p3，q3分别为谱图GC(a,3)像素的横、纵坐标，p3，q3均为实数，p3∈[1,4]，q3∈[1,4]；gc(a,3)(p3,q3)为三次降维谱图GC(a,3)的像素值坐标；

3)对谱图GF(t,a,n)和谱图GC(a,n)分别进行均值化处理，将均值化后的谱图分别记为mGF(t,n)和mGC(n)，记mGF(t,n)中像素值坐标mgf(t,n)(in,jn)，mGC(n)中的像素值坐标为mgc(n)(pn,qn)；均值化处理的过程如下：

4)对谱图mGF(t,n)进行权重化处理，将权重化后的谱图记为wGF(n)，记wGF(n)中像素值坐标wgf(n)(in,jn)，权重化处理的过程如下：

5)分别计算谱图wGF(n)的核矩阵T(n)和谱图mGC(n)的核矩阵E(n)，公式如下其中，“*”表示卷积运算，T(1)为21×21的核矩阵，T(2)为11×11的核矩阵，T(3)为5×5的核矩阵；E(1)为21×21的核矩阵，E(2)为11×11的核矩阵，E(3)为5×5的核矩阵；

6)分别计算核矩阵T(n)的变异系数η(n)和核矩阵E(n)的变异系数γ(n)，其中，“|| ||F”表示矩阵F范数； 为核矩阵T(1)、T(2)、T(3)的逆矩阵；

为核矩阵E(1)、E(2)、E(3)的逆矩阵；

7)计算老化特征因子ξ，

第三步：根据老化特征因子ξ估算电缆绝缘老化状态。