1.基于多尺度空间谱图信息的EPR电缆服役年限估算方法，其特征在于，包括

第一步：采集实际运行电缆与待检测电缆的局部放电谱图信息：

将实际运行电缆和待检测电缆分别加压25kV，进行h次局部放电谱图采集，将从实际运行电缆中采集的谱图标号记为A(t,b)，将从待检测电缆中采集的谱图标号记为Cb，t表示实际电缆运行t年，b表示第b次局部放电谱图采集；t，b均为实数，t∈{1,5,7,10}，b∈[1,h]，h≥

100；

第二步：提取老化特征因子，包括

1)对谱图A(t,b)和谱图Cb进行灰度化处理，将灰度化处理后的谱图分别记为GA(t,b)和GCb，灰度化的过程如下：记A(t,b)中红色像素值坐标为r-a(t,b)(i,j)，绿色像素值坐标为g-a(t,b)(i,j)，蓝色像素值坐标为b-a(t,b)(i,j)；灰度化后，GA(t,b)中像素值坐标ga(t,b)(i,j)为i，j分别为谱图GA(t,b)像素的横、纵坐标，i，j均为实数，i∈[1,32]，j∈[1,32]；

记Cb中红色像素值坐标为r-cb(p,q)，绿色像素值坐标为g-cb(p,q)，蓝色像素值坐标为b-cb(p,q)；灰度化后，GCb中像素值坐标gcb(p,q)为 p，q分别为谱图GCb像素的横、纵坐标，p，q均为实数，p∈[1,32]，q∈[1,32]；

2)对谱图GA(t,b)和谱图GCb进行降维处理，将降维处理后的谱图分别记为GA(t,b,n)和GC(b,n)，n为降维次数，n为实数，n∈{1,2,3}，记GA(t,b,n)中像素值坐标为ga(t,b,n)(in,jn)，记GC(b,n)中像素值坐标为gc(b,n)(pn,qn)；降维处理的过程如下：其中，α1∈i，且α1为偶数；β1∈j，且β1为偶数；i1，j1分别为谱图GA(t,b,1)像素的横、纵坐标，i1，j1均为实数，i1∈[1,16]，j1∈[1,16]；ga(t,b,1)(i1,j1)为一次降维谱图GA(t,b,1)的像素值坐标；μ1∈p，且μ1为偶数；λ1∈q，且λ1为偶数；p1，q1分别为谱图GC(b,1)像素的横、纵坐标，p1，q1均为实数，p1∈[1,16]，q1∈[1,16]；gc(b,1)(p1,q1)为一次降维谱图GC(b,1)的像素值坐标；

其中，α2∈i1，且α2为偶数；β2∈j1，且β2为偶数；i2，j2分别为谱图GA(t,b,2)像素的横、纵坐标，i2，j2均为实数，i2∈[1,8]，j2∈[1,8]；ga(t,b,2)(i2,j2)为二次降维谱图GA(t,b,2)的像素值坐标；μ2∈p1，且μ2为偶数；λ2∈q1，且λ2为偶数；p2，q2分别为谱图GC(b,2)像素的横、纵坐标，p2，q2均为实数，p2∈[1,8]，q2∈[1,8]；gc(b,2)(p2,q2)为二次降维谱图GC(b,2)的像素值坐标；

其中，α3∈i2，且α3为偶数；β3∈j2，且β3为偶数；i3，j3分别为谱图GA(t,b,3)像素的横、纵坐标，i3，j3均为实数，i3∈[1,4]，j3∈[1,4]；ga(t,b,3)(i3,j3)为三次降维谱图GA(t,b,3)的像素值坐标；μ3∈p2，且μ3为偶数；λ3∈q2，且λ3为偶数；p3，q3分别为谱图GC(b,3)像素的横、纵坐标，p3，q3均为实数，p3∈[1,4]，q3∈[1,4]；gc(b,3)(p3,q3)为三次降维谱图GC(b,3)的像素值坐标；

3)对谱图GA(t,b,n)和谱图GC(b,n)分别进行均值化处理，将均值化后的谱图分别记为mGA(t,n)和mGC(n)，记mGA(t,n)中像素值坐标为mga(t,n)(in,jn)，mGC(n)中的像素值坐标为mgc(n)(pn,qn)；均值化处理的过程如下：

4)对谱图mGA(t,n)进行权重化处理，将权重化后的谱图记为wGA(n)，记wGA(n)中像素值坐标wga(n)(in,jn)，权重化处理的过程如下：

5)分别计算谱图wGA(n)的核矩阵K(n)和谱图mGC(n)的核矩阵E(n)，公式如下其中，“*”表示卷积运算，K(1)为21×21的核矩阵，K(2)为11×11的核矩阵，K(3)为5×5的核矩阵；E(1)为21×21的核矩阵，E(2)为11×11的核矩阵，E(3)为5×5的核矩阵；6)分别计算核矩阵K(n)的变异系数η(n)和核矩阵E(n)的变异系数γ(n)，其中，“|| ||∞”表示矩阵∞范数； 为核矩阵K(1)、K(2)、K(3)的逆矩阵；

为核矩阵E(1)、E(2)、E(3)的逆矩阵；

7)计算老化特征因子ξ，

其中，φ1表示变异系数η(n)的变异率；φ2表示变异系数γ(n)的变异率；

第三步：根据老化特征因子ξ估算待检测电缆的服役年限。