1.一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Mn源进行沉积，得到沉积有Mn源的衬底，所述Mn源为具有式1所示结构的化合物：(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；

(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Mn源进行单原子反应，得到含单原子层MnxN薄膜的衬底；

(4)向体系中充入惰性气体进行吹扫，完成一个原子层沉积ALD生长循环；

重复(1)～(4)若干次数，即可得到生长有一定厚度MnxN薄膜的衬底；

所述步骤(3)中的氮源有NH3、烷基胺、R1NHNH2、N2H4中的一种或两种以上；

所述半导体衬底包括硅、氧化硅、氮化硅、TaN中的一种或两种以上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中以脉冲形式向反应腔中通入气相Mn源的单个脉冲的持续时间为0.05～20s。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中气相Mn源在载气存在条件下以脉冲形式通入；所述载气的流量为10～200sccm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中吹扫时间为1～50s，惰性气体流量为10～300mL/min，维持体系压力为1.5×103～8×103Pa。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时间为0.01～20s。

6.按照权利要求1-5任一所述方法制备得到的MnxN薄膜。

7.权利要求6所述的MnxN薄膜在半导体领域的应用。

8.权利要求6所述的MnxN薄膜在具有复杂沟壑纳米结构填充中的应用。