1.一种环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器，自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)；上电极(1)、氧化物限制层(4)的形状为内径相同的环形，所述环形的宽度为3μm～5μm，所述环形的外径为115μm～125μm；其特征在于，在下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)的中心部分存在一个圆柱形空心区域(11)，所述圆柱形空心区域(11)的顶面高度低于下分布布拉格反射镜(6)的内镜面、高于下分布布拉格反射镜(6)的外镜面，所述圆柱形空心区域(11)的直径为85μm～95μm，在所述圆柱形空心区域(11)中填充有高导热率焊料(12)。

2.根据权利要求1所述的环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述圆柱形空心区域(11)的高度为140～150μm。

3.根据权利要求1所述的环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述高导热率焊料(12)为金锡合金或者有机铟化合物。