1.一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，利用滑轨式单温区管式炉，以草酸铈作为掺杂剂对二硫化钨薄膜进行掺杂，包括以下步骤：步骤一，用乙醇及去离子水对衬底进行清洗并干燥；

步骤二，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9并按照质量比1：（8~12）将草酸铈和WO2.9置于石英舟1（参见图1）内且掺入氯化钠形成混合物，把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对；

步骤三，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半；

步骤四，关闭石英管并抽真空5 10分钟，载气为高纯氩气；高纯氩气洗气后设置流速为~

80 120sccm；

~

步骤五，温区以每分钟35 40摄氏度的速率将温度上升到1050 1200摄氏度并保温，在~ ~此期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近石英舟2边缘且此时温度达到1050~

1200摄氏度；

步骤六，以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5 10分钟；然后~自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述的衬底选自SiO2/Si、蓝宝石、云母中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤二中，掺入质量为WO2.9质量的10~

20%（质量比）的氯化钠形成混合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤五中，温区以每分钟38摄氏度的速率将温度上升到1050 1200摄氏度。

~

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤五中，温度上升到1050 1200摄氏度后~保温5分钟。

6.根据权利要求1-5所述的方法制备获得的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。