1.一种倒置QLED器件，其特征在于：该倒置QLED器件为平面层状多膜层结构，所述的平面层状多膜层从下到上分别为：ITO玻璃、电子传输层、分散的硅氧烷化合物纳米结构、发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极；其中，所述的硅氧烷化合物纳米结构为周期性分布的条状结构或非周期性分布的岛状结构。

2.根据权利要求1所述的一种倒置QLED器件，其特征在于：所述的电子传输层选自氧化锌薄膜、氧化锌纳米粒子、掺杂氧化锌薄膜和掺杂氧化锌纳米粒子的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种倒置QLED器件，其特征在于：所述的发光层为荧光量子点，其尺寸为3-15nm。

4.根据权利要求3所述的一种倒置QLED器件，其特征在于：所述的荧光量子点选自CdTe、CdS、CdSe、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、PbS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSeS、CdSe/CdS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS、CuInS/ZnS、(Zn)CuInS/ZnS、(Mn)CuInS/ZnS、AgInS/ZnS、(Zn)AgInS/ZnS、CuInSe/ZnS、CuInSeS/ZnS、PbS/ZnS，碳量子点，硅量子点，以及有机无机钙钛矿量子点，全无机钙钛矿量子点中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种倒置QLED器件，其特征在于：所述的ITO玻璃中，ITO电极的厚度为80-150nm；所述的电子传输层厚度为20-100nm；发光层厚度为5-40nm；所述的硅氧烷化合物纳米结构底部长和宽均分别为5-20nm，高度为0.5-8nm；所述的空穴传输层厚度为

30-80nm；所述的空穴注入层厚度在15-30nm；所述的阴极厚度为80-120nm。

6.权利要求1-5中任意一项所述的倒置QLED器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)清洗ITO玻璃，消除玻璃表面的灰尘及有机物后作为基底；

2)在所述的基底上制备电子传输层；

3)配制硅烷试剂的醇类溶液，然后通过喷雾机喷洒到覆盖有电子传输层的ITO玻璃上；

然后将ITO玻璃于湿度为20％-60％空气中放置1-3h后再置于80-120℃的热台上，于空气中加热10-30min并烤干ITO玻璃，在所述的电子传输层上借助于光刻技术，制备具有周期性排布的条状硅氧烷化合物结构，并且条状结构的距离为介于0-100μm之间，并且成周期性均匀排布；或者在所述的电子传输层上借助于机械喷雾技术，制备具有非周期性排布的岛状硅氧烷化合物结构，并且任意两个岛状结构的距离为介于0-100μm之间；

4)将量子点的低沸点溶液，步骤3)处理后的基底上，并在80-120℃干燥成膜得到发光层；

5)在所述的发光层上先旋涂空穴传输层，并干燥成膜；再旋涂空穴注入层；

6)在所述的空穴注入层上引入电极材料；

7)器件封装。

7.根据权利要求6所述的倒置QLED器件的制备方法，其特征在于：步骤2)中，将电子传输层材料的溶液，如氧化锌纳米粒子或者铝掺杂氧化锌纳米粒子的正丁醇溶液，旋涂到基底上，并在80-120℃干燥成膜；通过控制旋涂机转速以及锌的前驱体溶液，控制氧化锌纳米膜层厚度。

8.根据权利要求6所述的倒置QLED器件的制备方法，其特征在于：所述的硅烷试剂选自正硅酸甲酯，正硅酸乙酯，正硅酸丁酯，三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷，叔丁基二甲基氯硅烷、三异丙基氯硅烷，二甲基二乙酰氧基硅烷、二叔丁基二氯硅烷，三甲基羟乙基硅烷、甲基二苯基羟乙基硅烷中的任意一种。

9.根据权利要求6所述的倒置QLED器件的制备方法，其特征在于：步骤5)中，所述的空穴传输层为有机物质或者无机物质，当为有机物质时候，选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺中的一种或多种的组合；当为无机物质时候，选自NiO和/或WO3；所述的空穴注入层为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸。

10.根据权利要求6所述的倒置QLED器件的制备方法，其特征在于：步骤6)中，所述的引入电极是蒸镀Al膜、Ag膜或溅射IZO膜；步骤7)中，所述的器件封装是在紫外等激发下，加盖封装盖板，引入紫外固化胶对器件进行封装，即得倒置QLED器件。