1.一种自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：包括具有轴孔状通孔的初级装配和装配于所述初级装配的通孔内的次级装配；所述初级装配包括套筒、贴合所述套筒内周设置的筒形电枢芯及嵌装于所述筒形电枢芯内的线圈绕组；所述次级装配包括支撑轴、沿轴向套设于所述支撑轴外的双层筒形永磁体；所述双层筒形永磁体包括内层永磁体和套设于所述内层永磁体外的外层永磁体；所述内层永磁体由多个轴向环形永磁体III与多个导磁圆环背铁交替设置形成，并相邻轴向环形永磁体III间的充磁方向相反；所述外层永磁体采用哈尔巴赫磁化阵列。

2.根据权利要求1所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述外层永磁体由多个轴向截面为梯形结构的环形永磁体I和环形永磁体II沿轴向交替排列组成，并相邻环形永磁体I和环形永磁体II间沿轴向贴合设置。

3.根据权利要求2所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述环形永磁体I轴向截面的梯形长底边靠近轴向环形永磁体III侧设置并梯形长底边与对应的轴向环形永磁体III的轴向长度相等；所述环形永磁体II轴向截面的梯形短底边靠近导磁圆环背铁侧设置并梯形短底边与对应的导磁圆环背铁的轴向长度相等；所述环形永磁体II对应线圈绕组设置。

4.根据权利要求3所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述环形永磁体I由多个类扇形结构的磁块I拼接组成并各磁块I均对应形成两个拼接面；所述磁块I的其中一个拼接面上设置有轴向通槽I并所述轴向通槽I的槽底径向宽度大于槽口径向宽度，并相邻磁铁I对应配合的拼接面上适形设置有凸出部I并沿轴向插入轴向通槽I内，用于形成相邻磁块I间沿轴向的插入装配。

5.根据权利要求3所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述环形永磁体II由多个类扇形结构的磁块II拼接组成并各磁块II均对应形成两个拼接面；所述磁块II的其中一个拼接面上设置有轴向通槽II并所述轴向通槽II的槽底径向宽度大于槽口径向宽度，并相邻磁铁II对应配合的拼接面上适形设置有凸出部II并沿轴向插入轴向通槽II内，用于形成相邻磁块II间沿轴向的插入装配。

6.根据权利要求1所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述初级装配与次级装配间的装配间隙为0.5mm至2mm。

7.根据权利要求1所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述初级装配和次级装配通过轴向两端设置的端盖夹紧固定并两端的端盖与次级装配间均设置有直线轴承，用于次级装配相对初级装配的直线往复运动。

8.根据权利要求7所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述次级装配的驱动端套设有端盖I，所述次级装配的自由端盖设于端盖II；所述次级装配的自由端与端盖II间设置有缓冲块，并缓冲块与端盖II顶端间预留一定间隙，所述缓冲块的径向尺寸大于初级装配的通孔尺寸，用于次级装配相对初级装配直线往复运动时的轴向限位。

9.根据权利要求8所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述次级装配的驱动端端部设置有吊环结构I；所述端盖II的外顶端设置有吊环结构II。

10.根据权利要求1所述的自屏蔽性磁体结构主动悬架电磁作动器，其特征在于：所述线圈绕组为多个并沿轴向间隔设置于电枢芯内；所述电枢芯由多个定子冲片叠压夹紧而成并设置有多个用于容纳线圈绕组的空间；所述线圈绕组为采用叠绕组镶线方式的三相交流电源激励的双层线圈绕组；所述定子冲片的外周缘具有冲片毛刺，所述冲片毛刺长度≤

0.05mm。