1.一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括Si衬底，其特征在于：所述Si衬底为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在所述Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在所述Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；所述GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，所述GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，所述Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。

2.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNP/GaNAs超晶格子电池、Si子电池和GaNAs子电池的所有材料层的晶格常数与Si衬底保持一致。

3.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNP子电池中GaNP材料的光学带隙为1.95-2.05eV，该子电池总厚度为1-3μm。

4.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNAsP子电池中GaNAsP材料的光学带隙为1.65-1.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。

5.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNAs/GaNP超晶格子电池中GaNAs/GaNP超晶格材料的有效光学带隙为1.35-1.45eV，该子电池总厚度为2-4μm。

6.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述Si子电池中Si材料的光学带隙为1.12eV，该子电池总厚度为200-600μm。

7.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNAs子电池中GaNAs材料的光学带隙为0.65-0.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。