1.一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将载有过渡金属硫族化合物薄层样品的衬底水平放置于由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体的等离子腔室中，或垂直放置于由两平行板电极产生的电容耦合等离子体的等离子腔室中，将腔室抽至真空度为4.0×10-3Pa以下；

(2)通入O2，打开等离子体射频电源激发温和氧气等离子体，对过渡金属硫族化合物薄层样品进行等离子体插层处理，即得到过渡金属硫族化合物的二维原子晶体分子超晶格。

2.根据权利要求1所述二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的过渡金属硫族化合物包括MoS2、WS2、MoSe2、ReS2。

3.根据权利要求1所述的二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的激发温和氧气等离子体有两种方式，一种是由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体，等离子射频电源频率为0.5-2MHz，此时载有过渡金属硫族化合物薄层样品的衬底需要水平放置于等离子体腔室中，与平面式螺旋电感天线平行；另一种是由两平行板电极产生的电容耦合等离子体，等离子射频电源频率为0.5-13.56MHz，此时样品需要垂直放置等离子体腔室中，与两平行板保持垂直。

4.根据权利要求1所述的二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的等离子射频电源的功率为10-50W。

5.根据权利要求1所述的二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，步骤(2)中通入O2的流量为5-50sccm，工作气压为1-50Pa。

6.根据权利要求1所述的二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的对过渡金属硫族化合物薄层样品进行离子体插层处理的时间为1-9min。

7.根据权利要求1-6任一制备方法制得的二维原子晶体分子超晶格。

8.一种光探测器件，其特征在于，包含了权利要求7中的二维原子晶体分子超晶格。

9.一种光电子器件，其特征在于，包含了权利要求7中的二维原子晶体分子超晶格。

10.权利要求1-6所述的任一制备方法或权利要求7所述的二维原子晶体分子超晶格在微纳领域和半导体领域的应用。