1.一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）衬底清洗：采用镀有300nm二氧化硅层的硅片作为衬底，将衬底分别依次放入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗各5分钟，以去除表面有机物，其中超声频率为25KHz，之后在加热平台上进行烘烤，350℃烘烤30分钟，以去除丙酮、乙醇残留物；

（2）样品准备：用机械剥离制备的MoS2薄层，利用塑料胶膜对MoS2块体进行剥离，然后胶膜之间对撕，直到胶膜上样品颜色偏灰，然后贴到步骤（1）中清洗好的衬底上，轻轻按压，静置1小时后，快速揭起胶膜，得到厚度为4层的二硫化钼样品；

（3）样品处理：将厚度为四层的二硫化钼样品放入非平行板式电容耦合等离子体化学沉积系统中的等离子体腔室内，此时样品需要水平放置，与平面式螺旋电感天线平行；将等离子体腔室抽真空至4.0×10-3 Pa以下，然后通入O2气体，气体的流量为5sccm，工作气压为

40 Pa，开启等离子体射频电源，等离子体射频电源频率为2 MHz，调节功率至20W，启辉之后开始计时处理，处理时间为5分钟。

2.根据权利要求1所述的制备方法制得的二维原子晶体分子超晶格。

3.一种光探测器件，其特征在于，包含了权利要求2中的二维原子晶体分子超晶格。

4.一种光电子器件，其特征在于，包含了权利要求2中的二维原子晶体分子超晶格。

5.根据权利要求2所述的二维原子晶体分子超晶格在微纳领域和半导体领域的应用。