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专利号: 2019111853960
申请人: 湖北科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在导电基底上制备氧化物多孔薄膜;

(2)合成油溶性银镓铟硒纳米粒;

(3)将油溶性银镓铟硒纳米粒通过表面改性后制成巯基丙酸包覆的纳米粒,再分散在水中制成水溶性银镓铟硒纳米粒分散液;

所述油溶性银镓铟硒纳米粒改性成巯基丙酸包覆的水溶性纳米粒的方法如下:(3.1)将巯基丙酸溶于去离子水和甲醇中配成溶液,用NaOH溶液调节pH值至强碱性;

(3.2)将碱性的巯基丙酸溶液加入到银镓铟硒氯仿分散液中,充分搅拌得到沉淀;在沉淀中加水,继续搅拌使液体分层,银镓铟硒纳米粒由氯仿层转入水层;

(3.3)弃掉氯仿层,在水层中加入丙酮得到沉淀,倒掉清液,将沉淀重新分散在水中得到巯基丙酸包覆的水溶性银镓铟硒纳米粒分散液;

(4)惰性气体氛围中将氧化物多孔薄膜浸泡在水溶性银镓铟硒纳米粒分散液中,使银镓铟硒纳米粒吸附到氧化物多孔薄膜内;

(5)先后用水和乙醇冲洗吸附银镓铟硒后的氧化物多孔薄膜,氮气吹干得到银镓铟硒/氧化物薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述氧化物多孔薄膜的制备方法如下:将二氧化钛浆料丝网印刷于导电基底上,经煅烧即得;

所述导电基底为掺F的SnO2导电玻璃(FTO)、掺Sn的In2O3导电玻璃(ITO)或金属片。

3.根据权利要求1所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于,所述的油溶性银镓铟硒纳米粒的制备方法如下:(1)将银源、铟源、镓源在溶剂中加热溶解形成金属离子前驱体溶液;

(2)将硒粉溶于有机膦中形成硒前驱体溶液;

(3)在无水无氧、氮气保护条件下,将硒前驱体溶液注入金属离子前驱体溶液中,加热反应一定时间;

(4)产物经洗涤、沉淀、离心后分散在氯仿中得到油溶性银镓铟硒纳米粒。

4.根据权利要求3所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述银源选自乙酰丙酮银或醋酸银;所述铟源选自乙酰丙酮铟或醋酸铟;所述镓源选自乙酰丙酮镓或醋酸镓。

5.根据权利要求3所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)的溶剂为油胺与十八烯的混合溶剂,油胺与十八烯的体积比为2:1。

6.根据权利要求3所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述铟源与镓源的投料摩尔比为1:2‑4。

7.根据权利要求3所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中有机磷为二苯基膦(DPP),硒前驱体为DPP‑Se。

8.根据权利要求3所述的银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中反应温度为170‑190℃,反应的时间为5‑10min。

9.一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极,其特征在于:采用权利要求1‑8任一项所述的方法制备。