1.一种高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，包括低压直流电源、至少五个半桥单元、至少四个电容单元和输出端；所述半桥单元包括两个串联连接的开关元件，且两个所述开关元件连接的节点为第一串联节点；每个所述电容单元包括电容器和与所述电容器串联连接的二极管，且所述电容器与所述二极管连接的节点为第二串联节点；其中，五个所述半桥单元分别为第一半桥单元、第二半桥单元、第三半桥单元、第四半桥单元和第五半桥单元；四个所述电容单元分别为第一电容单元、第二电容单元、第三电容单元和第四电容单元；所述第一半桥单元的第一串联节点与所述第一电容单元连接，所述第一电容单元还与所述低压直流电源的负极连接；所述第二半桥单元的第一串联节点与所述第二电容单元连接，所述第二电容单元还与所述低压直流电源的正极连接；所述第三半桥单元的第一串联节点分别与所述第三电容单元和所述第四电容单元连接，所述第三电容单元还与所述第一电容单元连接，所述第四电容单元还与所述第二电容单元连接；所述输出端的第一端与所述第四半桥单元的第一串联节点连接，所述输出端的第二端与与所述第五半桥单元的第一串联节点连接；所述第四半桥单元的第一端与所述第四电容单元的第二串联节点连接，所述第四半桥单元的第二端与所述第三电容单元的第二串联节点连接。2.根据权利要求1所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，所述第一半桥单元包括第一开关元件和第二开关元件；所述第二半桥单元包括第三开关元件和第四开关元件；所述第三半桥单元包括第五开关元件和第六开关元件；所述第四半桥单元包括第七开关元件和第八开关元件；所述第五半桥单元包括第九开关元件和第十开关元件；所述第一电容单元包括第一电容器和第一二极管；所述第二电容单元包括第二电容器和第二二极管；所述第三电容单元包括第三电容器和第三二极管；所述第四电容单元包括第四电容器和第四二极管；其中，所述第一开关元件的第一端、所述第三开关元件的第一端和所述第一二极管的阴极分别与所述低压直流电源的负极连接；所述第二开关元件的第二端、所述第四开关元件的第二端和所述第二二极管的阳极分别与所述低压直流电源的正极连接；所述第一开关元件的第二端和所述第二开关元件的第一端分别与所述第一电容器的第二端连接；所述第三开关元件的第二端和所述第四开关元件的第一端分别与所述第二电容器的第一端连接；所述第一电容器的第一端、所述第一二极管的阳极、所述第五开关元件的第一端和所述第三二极管的阴极分别与所述第九开关元件的第一端连接；所述第二电容器的第二端、所述第二二极管的阴极、所述第六开关元件的第二端和所述第四二极管的阳极分别与所述第十开关元件的第二端连接；

所述第五开关元件的第二端和所述第六开关元件的第一端分别与所述第三电容器的第二端和所述第四电容器的第一端连接；所述第三电容器的第二端和所述第三二极管的阳极分别与所述第七开关元件的第一端连接；所述第四电容器的第二端和所述第四二极管的阴极分别与所述第八开关元件的第二端连接；所述第七开关元件的第二端与所述第八开关元件的第一端分别与所述输出端的第一端连接，所述第九开关元件的第二端与所述第十开关元件的第一端分别与所述输出端的第二端连接。3.根据权利要求2所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，若开通所述第一开关元件、所述第四开关元件、所述第五开关元件、所述第八开关元件和所述第十开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述第一电容器和所述第二电容器分别与所述低压直流电源串联，所述低压直流电源通过所述第四二极管给所述第四电容器充电，所述输出端输出的电压为0；若开通所述第一开关元件、所述第四开关元件、所述第六开关元件、所述第七开关元件和所述第九开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述第一电容器和所述第二电容器分别与所述低压直流电源串联，所述低压直流电源通过所述第三二极管给所述第三电容器充电，所述输出端输出的电压为0。4.根据权利要求2所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，所述低压直流电源输出的电压为Vdc，若开通所述第一开关元件和所述第三开关元件，并且开通所述第五开关元件、所述第八开关元件和所述第十开关元件或所述第六开关元件、所述第七开关元件和所述第九开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为Vdc或-Vdc；若开通所述第二开关元件和所述第四开关元件，并且开通所述第五开关元件、所述第八开关元件和所述第十开关元件或者所述第六开关元件、所述第七开关元件和所述第九开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为Vdc或-Vdc。5.根据权利要求2所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，所述低压直流电源输出的电压为Vdc，若开通所述第二开关元件和所述第三开关元件，并且开通所述第五开关元件、所述第八开关元件和所述第十开关元件或所述第六开关元件、所述第七开关元件和所述第九开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为2Vdc或-2Vdc；若开通所述第一开关元件和所述第四开关元件，并且开通所述第五开关元件、所述第八开关元件和所述第九开关元件或所述第六开关元件、所述第七开关元件和所述第十开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为3Vdc或-3Vdc；若开通所述第二开关元件和所述第三开关元件，并且开通所述第六开关元件、所述第八开关元件和所述第九开关元件或所述第五开关元件、所述第七开关元件和所述第十开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为4Vdc或-4Vdc。6.根据权利要求2所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，所述低压直流电源输出的电压为Vdc，若开通所述第一开关元件和所述第三开关元件，并且开通所述第六开关元件、所述第八开关元件和所述第九开关元件或所述第五开关元件、所述第七开关元件和所述第十开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为5Vdc或-5Vdc；

若开通所述第二开关元件和所述第四开关元件，并且开通所述第六开关元件、所述第八开关元件和所述第九开关元件或所述第五开关元件、所述第七开关元件和所述第十开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为5Vdc或-5Vdc。7.根据权利要求2所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，所述低压直流电源输出的电压为Vdc，若开通所述第一开关元件和所述第四开关元件，并且开通所述第六开关元件、所述第八开关元件和所述第九开关元件或所述第五开关元件、所述第七开关元件和所述第十开关元件，其他的所述开关元件全部关断，所述输出端输出的电压为6Vdc或-6Vdc。8.根据权利要求1所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，两个所述开关元件形成一对互补导通的所述半桥单元。9.根据权利要求1所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，五个所述半桥单元中的开关元件均选用N沟道MOSFET或P沟道MOSFET或IGBT器件，其中：当所述开关元件均选用N沟道MOSFET时，所述N沟道MOSFET的源极作为所述开关元件的第一端，所述N沟道MOSFET的漏极作为所述开关元件的第二端，所述N沟道MOSFET的栅极作为所述开关元件的控制端；当所述开关元件均选用P沟道MOSFET时，所述P沟道MOSFET的漏极作为所述开关元件的第一端，所述P沟道MOSFET的源极为所述开关元件的第二端，所述P沟道MOSFET的栅极作为所述开关元件的控制端；当所述开关元件均选用IGBT器件时，所述IGBT器件的发射极作为所述开关元件的第一端，所述IGBT器件的集电极作为所述开关元件的第二端，所述IGBT器件的基极作为所述开关元件的控制端。10.根据权利要求9所述的高压输出的多电平逆变电路，其特征在于，各所述开关元件的控制端均与控制器连接，所述控制器用于控制各所述开关元件的导通或关断，以实现多电平交流电的输出。