1.一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：它包括由上往下顺次设置的外壳(1)、工作台(2)和机箱(3)，所述外壳(1)顶部的右端部开设有缺口，缺口处设置有密闭盖(4)，所述外壳(1)的顶部设置有盖板(5)，外壳(1)、盖板(5)、密闭盖(4)和工作台(2)之间形成有密闭腔(6)，所述工作台(2)内经轴承旋转安装有空心轴(7)，空心轴(7)的上端部向上延伸于密闭腔(6)内，且延伸端的顶部焊接有吸盘(8)，吸盘(8)内设置有型腔(9)，型腔(9)与空心轴(7)连通，吸盘(8)的顶表面上且位于其边缘上开设有多个吸孔(10)，空心轴(7)的下端部向下延伸于机箱(3)内，所述机箱(3)内设置有真空泵(11)和电机(12)，真空泵(11)的工作端口与空心轴(7)的底端口经旋转接头(13)连接，电机(12)的输出轴与空心轴(7)之间设置有可驱动空心轴(7)旋转的传动装置，所述吸盘(8)的顶部设置有弯管(14)，弯管(14)的垂直管与空心轴(7)同轴设置，弯管(14)的垂向管向上贯穿盖板(5)设置，弯管(14)的水平管位于型腔(9)内，水平管的顶部焊接有电极柱(15)，电极柱(15)的上端焊接有电极片(16)，电极片(16)与吸盘(8)顶部的内壁接触，电极柱(15)的下端伸入于水平管内，且延伸端上固设有导线B(17)，导线B(17)沿弯管(14)轴向延伸于弯管外部，导线B(17)的延伸端处连接有第二高频电源(18)；所述盖板(5)上设置有伸入于密闭腔(6)内的天线(19)，天线(19)的顶部连接有导线A(20)，导线A(20)的另一端连接有第一高频电源(21)；所述外壳(1)上设置有电磁阀(22)和卸压阀(23)，电磁阀(22)的另一端连接有储存有气源的气瓶(24)，气瓶(24)内的六氟化硫在气压下经电磁阀(22)进入到密闭腔(6)内，同时第一高频电源(21)对天线(19)投入高频电力，从而在密闭腔(6)内产生以六氟化硫为原料的等离子体，六氟化硫等离子体腐蚀掉待蚀刻部分(41)，实现了光学器件的蚀刻。

2.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述密闭盖(4)经螺钉(25)固定于外壳(1)和盖板(5)之间。

3.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述传动装置包括主动齿轮(26)、减速器(27)和从动齿轮(28)，所述主动齿轮(26)安装于减速器(27)的输出轴上，从动齿轮(28)安装于空心轴(7)上，电机(12)的输出轴与减速器(27)的输入轴经联轴器连接，主动齿轮(26)与从动齿轮(28)啮合。

4.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述盖板(5)的下表面上设置有温度传感器(29)和压力传感器(30)。

5.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述导线A(20)和导线B(17)上分别设置有微动开关A(31)和微动开关B(32)。

6.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述弯管(14)的垂直管与吸盘(8)之间、弯管(14)的垂直管与盖板(5)之间均设置有动密封件(38)。

7.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：该等离子体蚀刻装置还包括PLC控制器(39)，所述PLC控制器(39)与微动开关A(31)、微动开关B(32)、电机(12)、真空泵(11)、温度传感器(29)、压力传感器(30)、电磁阀(22)和卸压阀(23)经信号线电连接。

8.根据权利要求1所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述密闭腔(6)内设置有环形管(33)，所述环形管(33)位于吸盘(8)的外部，环形管(33)的内圈上分部有多个小孔(34)，小孔(34)与环形管(33)连通，环形管(33)的外圈上焊接有连通环形管(33)的支管(35)，所述支管(35)贯穿外壳(1)且延伸于外壳(1)外部。

9.根据权利要求8所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述支管(35)的延伸端上连接有空压机(36)。

10.根据权利要求8所述的一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置，其特征在于：所述环形管(33)的底部焊接有支架(37)，所述支架(37)支撑于工作台(2)的顶表面上。