1.一种基于表面等离激元晶格共振的压力传感器，包括上层硅基板(1)、位于所述上层硅基板(1)下方的纳米结构单元阵列，以及下层金属板(5)，坐标轴设定为x方向与y方向垂直，且两者平行于所述上层硅基板(1)，z方向垂直于所述上层硅基板(1)，其特征在于，所述纳米结构单元由从上往下依次设置的顶部金属脊(2)、中层介质柱(3)和底部金属脊(4)紧贴叠加构成；

所述顶部金属脊(2)、所述中层介质柱(3)和所述底部金属脊(4)平行于所述上层硅基板(1)的截面形状相同；

所述顶部金属脊(2)和所述底部金属脊(4)的材料相同；

所述纳米结构单元沿x方向和y方向分别阵列排布在所述上层硅基板(1)的下方；

所述下层金属板(5)设置在所述底部金属脊(4)的下方，并且所述下层金属板(5)与所述底部金属脊(4)以一定间隔d固定设置；

所述间隔d为5‑15nm；

所述阵列排布的周期变化范围为430nm～470nm。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述上层硅基板(1)的折射率为

1.52，所述中层 介质柱(3)为折射率等于1.45的二氧化硅，所述顶部金属脊(2)和所述底部金属脊(4)为金、银或者铝。

3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：所述顶部金属脊(2)、所述中层介质柱(3)和所述底部金属脊(4)平行于所述上层硅基板(1)的截面形状为正方形。

4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：所述顶部金属脊(2)、所述中层介质柱(3)和所述底部金属脊(4)的宽度和长度变化范围为60nm～100nm。

5.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于：所述正方形的边长为180nm。

6.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于：所述顶部金属脊(2)和所述底部金属脊(4)厚度变化范围为130nm～150nm，所述中层介质柱(3)厚度变化范围为140nm～

180nm。

7.根据权利要求6所述的压力传感器，其特征在于：所述顶部金属脊(2)和所述底部金属脊(4)厚度为140nm，所述中层介质柱(3)厚度为160nm。

8.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述阵列排布的周期为450nm。

9.一种使用权利要求1‑8任一项所述压力传感器的压力检测系统，其特征在于，包括压力传感器，光纤(4‑2)，光源(4‑3)和光谱测量系统(4‑4)；所述压力传感器的上层硅基板(1)和下层金属板(5)嵌入在微导管内；并且，所述光纤(4‑2)的端面与所述上层硅基板(1)间隔设置。

10.根据权利要求9所述的压力检测系统，其特征在于，所述光纤(4‑2)包括将所述光源(4‑3)发出的入射光导向所述压力传感器的第一光纤，和吸收所述压力传感器的反射光并将所述反射光导向外界光谱测量系统(4‑4)的第二光纤。