1.一种能够实现粒子的非对称囚禁的垂直腔面发射半导体激光器，其结构组成自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)，上电极(1)、氧化物限制层(4)的形状为内径相同或者接近的环形，上电极(1)的环形内孔成为出光窗口；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)是一个圆柱形实体；上分布布拉格反射镜(3)通过氧化物限制层(4)的环形内孔与有源增益区(5)相接；其特征在于，所述圆柱形实体的中心部分是一个以离子注入方式形成的齐顶高阻区(9)，所述齐顶高阻区(9)呈近似圆柱状，齐顶高阻区(9)的顶面与欧姆接触层(2)的顶面平齐，齐顶高阻区(9)的底面与下分布布拉格反射镜(6)的内镜面接触；齐顶高阻区(9)的高度为4μm～10μm、直径为85μm～95μm，所述圆柱形实体的直径为115μm～125μm，所述上电极(1)、氧化物限制层(4)的环形的外径与所述圆柱形实体的直径相同，所述上电极(1)、氧化物限制层(4)的环形的宽度为3μm～5μm；遮挡成形层(10)位于齐顶高阻区(9)的顶面位置，遮挡成形层(10)的尺度在能够覆盖齐顶高阻区(9)的顶面与能够使上电极(1)内孔留有空间之间，遮挡成形层(10)的形状为非圆几何图形，遮挡成形层(10)厚度、材质与上电极(1)相同。

2.根据权利要求1所述的能够实现粒子的非对称囚禁的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述非圆几何图形为椭圆形或者梅花形；采用光刻工艺加工出具有椭圆形或者梅花形的遮挡成形层(10)。