1.一种低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，包括：介质基板（5）；

金属接地面（6），所述金属接地面（6）覆在介质基板（5）下表面；

辐射贴片（1），所述辐射贴片（1）覆在介质基板（5）上表面，辐射贴片（1）以介质基板（5）竖向的中轴线为中轴线左右对称，辐射贴片（1）材质为金属，辐射贴片（1）内开有第一弧形开环谐振器（2）；

微带馈线（9），所述微带馈线（9）覆在介质基板（5）上表面，微带馈线（9）上端与辐射贴片（1）电连接，微带馈线（9）的中轴线与介质基板（5）竖向的中轴线重合，微带馈线（9）左侧的上部和下部分别设有第一类U形寄生带（10）和第二类U形寄生带（11），微带馈线（9）右侧的上部和下部分别设有第三类U形寄生带（7）和第四类U形寄生带（8）；

第一类U形寄生带（10）下部边缘与第二类U形寄生带（11）上部边缘的间距为3.5mm；

第三类U形寄生带（7）下部边缘与第四类U形寄生带（8）上部边缘间距为0.9mm；

第一类U形寄生带连接臂（102）长度为6.1mm；

第二类U形寄生带连接臂（112）长度为6.5mm；

第三类U形寄生带连接臂（702）长度为6.5mm；

第四类U形寄生带连接臂（802）长度为6.6mm；

所述第一弧形开环谐振器（2）内的辐射贴片（1）上开设有第二弧形开环谐振器（3），第一弧形开环谐振器（2）与第二弧形开环谐振器（3）的形状不同；

所述辐射贴片（1）为椭圆形；

所述第一弧形开环谐振器（2）为与辐射贴片（1）相似的椭圆形，第一弧形开环谐振器（2）的长轴与辐射贴片（1）的长轴重合，第一弧形开环谐振器（2）的短轴与辐射贴片（1）的短轴重合。

2.根据权利要求1所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，所述第二弧形开环谐振器（3）为圆形，第二弧形开环谐振器（3）的中心与辐射贴片（1）的圆心重合。

3.根据权利要求1所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，所述介质基板（5）材料采用Roggers5880，厚度为0.8mm，长为40mm，宽为38mm；

所述微带馈线（9）的宽度为1.9mm，长度为20.2mm，电阻为50Ω；

所述辐射贴片（1）的长轴长10mm，短轴长8mm；

所述第一弧形开环谐振器（2）的缺口弧长为4mm，第一弧形开环谐振器（2）的长度为

42.6‑44.6mm；

所述第二弧形开环谐振器（3）的缺口弧长为3mm，第二弧形开环谐振器（3）的长度为

32.4‑33.4mm；

所述第一类U形寄生带（10）总长度为17.4‑18.4mm；

所述第二类U形寄生带（11）总长度为20.5‑21.5mm；

所述第三类U形寄生带（7）总长度为15.5‑16.5mm；

所述第四类U形寄生带（8）总长度为25.6‑26.6mm。

4.根据权利要求3所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，第一弧形开环谐振器（2）的宽度为0.4mm，第二弧形开环谐振器（3）的宽度为0.5mm；

第一类U形寄生带（10）、第二类U形寄生带（11）、第三类U形寄生带（7）和第四类U形寄生带（8）的宽度为0.5mm。

5.根据权利要求4所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，第二类U形寄生带（11）与介质基板（5）下部边缘的间距为3.5mm，第四类U形寄生带（8）与介质基板（5）下部边缘的间距为3.4mm。

6.根据权利要求5所述的低耦合微带馈电超宽带陷波天线结构，其特征在于，第一类U形寄生带（10）与微带馈线（9）的间距为0.35mm,第二类U形寄生带（11）与微带馈线（9）的间距为0.55mm,第三类U形寄生带（7）与微带馈线（9）的间距为0.55mm，第四类U形寄生带（8）与微带馈线（9）的间距为0.55mm。