1.一种压电陶瓷的抗迟滞方法，其特征在于：包括下述步骤：S1、根据迟滞模型曲线的采样点(x,y)与对应目标修正电压U目标所满足的线性关系，建立上升轨迹曲线的一次方程UR-实际和下降轨迹曲线的一次方程UF-实际；

S2、最后将采样点(x,y)的坐标分别输入所述一次方程UR-实际和所述一次方程UF-实际，得出最终的实际修正电压UM-实际，将实际修正电压UM-实际输入压电陶瓷驱动器，作出修正后的驱动控制曲线。

2.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷的抗迟滞方法，其特征在于：所述步骤S1具体是：

S11、将迟滞模型曲线的采样点(x,y)的位移Fs与采样电压Us相除得到割率，即K＝y/x＝Fs/Us；

S12、将目标修正电压U目标与采样电压Us相除得到电压比，即H＝U目标/Us；

S13、将割率K与电压比H进行线性拟合，作出上升轨迹曲线对应的一次函数曲线Lr和下降轨迹曲线对应的一次函数曲线Lf；

S14、根据所述一次函数曲线Lr求得上升轨迹曲线对应一次方程Hr，根据所述一次函数曲线Lf求得下降轨迹曲线对应的一次方程Hf；

S15、分别将一次方程Hr、Hf等式两边同乘采样电压Us，得出最终的一次方程UR-实际、UF-实际。

3.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷的抗迟滞方法，其特征在于：所述步骤S11具体是：将迟滞模型曲线的首尾两点连接作出修正直线；

找到上升轨迹、下降轨迹各自的迟滞非线性规律曲线，拟合得到对应的五次多项式Fr、Ff；

根据所述五次多项式Fr、Ff，以采样电压Us作为输入电压，得出对应的补偿电压UCD；

将采样电压Us与补偿电压UCD相减得到目标修正电压U目标；

然后将采样点(x,y)的位移Fs与采样电压Us相除得到割率，即K＝y/x＝Fs/Us。

4.一种压电陶瓷的抗迟滞装置，其特征在于：包括：

方程建立模块，用于根据迟滞模型曲线的采样点(x,y)与对应目标修正电压U目标所满足的线性关系，建立上升轨迹曲线的一次方程UR-实际和下降轨迹曲线的一次方程UF-实际；

修正模块，用于将采样点(x,y)的坐标分别输入所述一次方程UR-实际和所述一次方程UF-实际，得出最终的实际修正电压UM-实际，将实际修正电压UM-实际输入压电陶瓷驱动器，作出修正后的驱动控制曲线。

5.根据权利要求4所述的一种压电陶瓷的抗迟滞装置，其特征在于：所述方程建立模块具体包括：割率计算模块，用于将迟滞模型曲线的采样点(x,y)的位移Fs与采样电压Us相除得到割率，即K＝y/x＝Fs/Us；

电压比计算模块，用于将目标修正电压U目标与采样电压Us相除得到电压比，即H＝U目标/Us；

拟合模块，用于将割率K与电压比H进行线性拟合，作出上升轨迹曲线对应的一次函数曲线Lr和下降轨迹曲线对应的一次函数曲线Lf；

转换模块，用于根据所述一次函数曲线Lr求得上升轨迹曲线对应一次方程Hr，根据所述一次函数曲线Lf求得下降轨迹曲线对应的一次方程Hf；

乘法模块，用于分别将一次方程Hr、Hf等式两边同乘采样电压Us，得出最终的一次方程UR-实际、UF-实际。

6.根据权利要求4所述的一种压电陶瓷的抗迟滞装置，其特征在于：所述割率计算模块具体执行如下过程：将迟滞模型曲线的首尾两点连接作出修正直线；

找到上升轨迹、下降轨迹各自的迟滞非线性规律曲线，拟合得到对应的五次多项式Fr、Ff；

根据所述五次多项式Fr、Ff，以采样电压Us作为输入电压，得出对应的补偿电压UCD；

将采样电压Us与补偿电压UCD相减得到目标修正电压U目标；

然后将采样点(x,y)的位移Fs与采样电压Us相除得到割率，即K＝y/x＝Fs/Us。

7.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至3任一项所述的方法。

8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1至3任一项所述的方法。