1.一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法，其特征在于，包括如下内容：a)在基板上表面涂覆设置一层隔离层；

b)在所述隔离层上压合设置一层介电层；

c)在高温环境下，将芯片按照face down取向热压入所述介电层，使得芯片底部的凸点不与所述介电层融合；

d)保持高温环境，进行注塑，使得芯片和介电层被注塑材料填充覆盖，冷却固化得到固化芯片结构；

e)移除基板和隔离层，获得半成品芯片结构；

f)利用激光打孔或等离子清洗的方式在半成品芯片结构的底部进行处理，使得芯片的凸点露出，再经过图案钝化、再布线、沉积下金属层和刻蚀嵌入球栅网格阵列工艺后，得到芯片封装结构；

步骤a)和步骤e)中，涂覆设置所述隔离层的材料为：聚四氟或聚氯乙烯；

步骤c)和步骤d)中，所述高温环境范围为：130℃-200℃；

步骤b)中，所述介电层为：ABF材料层；

步骤f)中，还包括入下内容:

预先判断固化芯片结构，当所述芯片在步骤c)中，压入所述介电层后，凸点与所述隔离层有接触，则对所述半成品芯片结构的底部进行等离子清洗，使得芯片的凸点外露；当所述芯片在步骤c)中，压入所述介电层后，凸点与所述隔离层没有接触，则对所述半成品芯片结构的底部进行激光打孔，使得芯片的凸点外露。

2.根据权利要求1所述的一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法，其特征在于，步骤a)中和步骤e)中所述基板为玻璃板。