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专利号: 2019113896087
申请人: 成都鑫成鹏高分子科技股份有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种无卤阻燃高分子材料,其特征在于,所述无卤阻燃高分子材料的原料包括:100重量份高分子材料母料和110~180重量份第一阻燃剂;

所述高分子材料母料包括乙烯-醋酸乙烯共聚物、茂金属线性低密度聚乙烯、聚烯烃弹性体和马来酸酐接枝聚乙烯;

所述第一阻燃剂包括玄武岩材料,或玄武岩材料、氢氧化物的混合物;

所述氢氧化物包括氢氧化铝和/或氢氧化镁。

2.根据权利要求1所述的无卤阻燃高分子材料,其特征在于,所述玄武岩材料包括玄武岩粉末和/或玄武岩鳞片。

3.根据权利要求1所述的无卤阻燃高分子材料,其特征在于,所述高分子材料母料中乙烯-醋酸乙烯共聚物、茂金属线性低密度聚乙烯、聚烯烃弹性体和马来酸酐接枝聚乙烯的质量比依次为45~65:20~35:3~10:10~20。

4.根据权利要求1~3任一项所述的无卤阻燃高分子材料,其特征在于,所述原料还包括第二阻燃剂,所述第二阻燃剂包括不超过30重量份聚磷酸铵、不超过15重量份三聚氰胺、不超过10重量份可膨胀石墨和不超过10重量份三氧化钼。

5.根据权利要求4所述的无卤阻燃高分子材料,其特征在于,所述玄武岩材料、所述聚磷酸铵、所述三聚氰胺、所述可膨胀石墨和所述三氧化钼中任意一种或多种经过偶联剂改性得到;

可选地,所述偶联剂包括硅烷偶联剂或钛酸酯偶联剂;

可选地,所述硅烷偶联剂包括KH-560、KH-570或KH-151;

可选地,所述钛酸酯偶联剂包括HY-201、HY-401或HY-101。

6.一种无卤阻燃高分子材料的制备方法,其特征在于,所述无卤阻燃高分子材料的制备方法包括:将权利要求1~5任一项所述的无卤阻燃高分子材料的所述原料按照配比混合均匀后熔融挤出造粒。

7.根据权利要求6所述的无卤阻燃高分子材料的制备方法,其特征在于,在进行所述挤出造粒前,将所述原料按照配比混合进行密炼共混。

8.根据权利要求6所述的无卤阻燃高分子材料的制备方法,其特征在于,所述玄武岩材料、聚磷酸铵、三聚氰胺、膨胀石墨和三氧化钼中任意一种或多种采用以下方法改性:将偶联剂、蒸馏水和乙醇混合搅拌均匀静止后得到水解液,将所述水解液与待改性原料混合均匀至呈现悬浮状态,静止后得到混合液,过滤所述混合液的上层液体得到混合物,将所述混合物烘干;

可选地,所述偶联剂、所述蒸馏水和所述乙醇的质量比为0.8~1.2:0.8~1.2:50~

100;

可选地,所述偶联剂与所述待改性原料的质量比为1~15:80~120。

9.根据权利要求6所述的无卤阻燃高分子材料的制备方法,其特征在于,所述玄武岩材料、聚磷酸铵、三聚氰胺、膨胀石墨和三氧化钼中任意一种或多种采用以下方法改性:将偶联剂、蒸馏水和乙醇混合搅拌均匀得到水解液,将所述水解液与待改性原料混合得到混合物,搅拌所述混合物,将搅拌后的所述混合物烘干;

可选地,所述偶联剂、所述蒸馏水和所述乙醇的质量比为0.8~1.2:0.8~1.2:3~6;

可选地,所述偶联剂与所述待改性原料的质量比为1~20:80~120。

10.一种电缆,其特征在于,所述电缆包括到导电芯和设置于所述导电芯外部的绝缘层,所述绝缘层由权利要求1~5任一项所述的无卤阻燃高分子材料制成;

可选地,所述绝缘层的拉伸强度超过10MPa,所述绝缘层的断裂伸长率超过150%。