1.一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体基底背面沉积金刚石薄膜；

(2)在半导体基底侧面沿水平方向进行划刻，形成V型刻痕；

(3)在半导体基底正面进行离子注入，将离子注入至V型刻痕所在的界面处；

(4)将离子注入后的半导体基底进行退火处理，然后将半导体基底沿V型刻痕进行机械剥离，剥离后背面沉积有金刚石薄膜的部分即所述高效散热半导体衬底，剩余基底通过步骤(1)～(4)的方法再次进行剥离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体基底为III-V族化合物半导体基底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法为微波等离子体化学气相沉积；所述微波等离子体化学气相沉积的生长气氛为氢气、甲烷和氧气，所述氢气的流量为450～500sccm，甲烷的流量为5～30sccm，氧气的流量为1～3sccm；所述微波等离子体化学气相沉积的时间为4～8h，生长温度为900～1300℃，微波频率为2～3GHz，微波功率为

3000～4000W。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金刚石薄膜的厚度为30～50μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的能量为10～80MeV，注入剂量为1012cm2～1015cm2，注入的离子为N+。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600～950℃，时间为20min～50min，所述退火处理在保护气氛中进行，所述保护气氛的流量为100sccm～

400sccm。