1.一种LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，其化学通式为：a(CexY1‑x)3Al5O12‑b(EuyY1‑y)2O3或c(CexY1‑x)3Al5O12‑dEuzSr1‑zAlSi4N7，

3+ 3+ 3+ 3+

其中，x为Ce 掺杂(CexY1‑x)3Al5O12中Y 位的摩尔百分数，y为Eu 掺杂(EuyY1‑y)2O3中Y

3+ 2+

位的摩尔百分数，z为Eu 掺杂SrAlSi4N7中Sr 位的摩尔百分数，a为每摩尔(CexY1‑x)3Al5O12‑(EuyY1‑y)2O3复相荧光陶瓷中(CexY1‑x)3Al5O12的物质的量，b为每摩尔(CexY1‑x)3Al5O12‑(EuyY1‑y)2O3复相荧光陶瓷中(EuyY1‑y)2O3的物质的量，c为每摩尔(CexY1‑x)3Al5O12‑EuzSr1‑zAlSi4N7复相荧光陶瓷中(CexY1‑x)3Al5O12的物质的量，d为每摩尔(CexY1‑x)3Al5O12‑EuzSr1‑zAlSi4N7复相荧光陶瓷中EuySr1‑yAlSi4N7的物质的量，0

0.02≤b≤0.2，0.02≤d≤0.2，a+b＝1，c+d＝1；

其制备方法，包括以下步骤：

步骤一：按化学式(CexY1‑x)3Al5O12，0

步骤二：将称量的初始原料、分散剂聚醚酰亚胺与无水乙醇置入球磨罐中，进行行星式球磨混合；将球磨后的混合浆料进行干燥，过筛，然后将混合粉体置于马弗炉中煅烧；

步骤三：将步骤二煅烧后的粉体放入管式炉中，在氮气气氛下烧结，冷却至室温，将烧结好的Ce:YAG荧光粉进行充分研磨；

步骤四：根据a(CexY1‑x)3Al5O12‑b(EuyY1‑y)2O3或c(CexY1‑x)3Al5O12‑dEuzSr1‑zAlSi4N7中a,

3+

b,c,d,y,z的值分别称取步骤三中制得的Ce:YAG荧光粉和商业Y2O3:Eu 粉体或商业

2+

SrAlSi4N7:Eu 粉体，依次进行球磨、干燥、过筛、煅烧处理，处理方式同步骤二；

步骤五：将步骤四煅烧后的粉体进行放电等离子烧结，冷却到室温后再进行双面抛光处理，得到所述复相荧光陶瓷。

2.根据权利要求1所述的LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，步骤二中，所述球磨转速为150～200rpm，球磨时间为14～30h。

3.根据权利要求1所述的LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，步骤二中，所述聚醚酰亚胺的加入量为原料粉体总量的0.4～1.1％，所述无水乙醇的体积与原料粉体总量的质量比为0.9～2.1：1ml/g。

4.根据权利要求1所述的LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，步骤二中，所述干燥温度为55～70℃，干燥时间为5～10h。

5.根据权利要求1所述的LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，步骤二中，所述煅烧温度为800～900℃，保温时间为3～6h。

6.根据权利要求1所述的LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，步骤三中，所述烧结温度为1500～1600℃，升温速率为2～6℃/min，保温4～6h，烧结结束后的降温速率为2～5℃/min。

7.根据权利要求1所述的LED/LD照明用高显指、高光效复相荧光陶瓷，其特征在于，步骤五中，所述放电等离子烧结的温度为900～1100℃，保温时间3～8h，单轴压力60～95MPa，升温速率为20～50℃/min，烧结结束后降温速率为15～25℃/min。