1.一种低应力高导热半导体衬底，其特征在于，包括衬底基体，所述衬底基体的背面设置有周期分布排列的孔洞；所述孔洞内填充有弹性纳米导热材料，且填充的弹性纳米导热材料与衬底基体的背面齐平，所述衬底基体的背面设置有焊料层，所述焊料层将弹性纳米导热材料密封在孔洞中；其中，孔洞总面积占衬底基体背面总面积的50～65％；所述孔洞的深度为10～15μm，单个孔洞的横截面的面积为1～10μm2。

2.根据权利要求1所述的低应力高导热半导体衬底，其特征在于，所述衬底基体的材质包括InP、GaAs、GaSb、InAs和Si中的一种。

3.根据权利要求1所述的低应力高导热半导体衬底，其特征在于，所述弹性纳米导热材料为石墨烯纳米片或银纳米线，

4.根据权利要求3所述的低应力高导热半导体衬底，其特征在于，所述石墨烯纳米片的片径尺寸为10～30nm，所述银纳米线的长度为10～30nm。

5.权利要求1～4任一项所述低应力高导热半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底片的背面进行光刻处理，在所述衬底片的背面形成周期分布排列的孔洞图形，得到光刻衬底片；

将所述光刻衬底片进行刻蚀处理，在所述光刻衬底片的背面形成周期分布排列的孔洞，得到刻蚀衬底；

在所述刻蚀衬底的孔洞内填充弹性纳米导热材料，至弹性纳米导热材料与刻蚀衬底的背面齐平，之后在刻蚀衬底的背面制备焊料层，焊料层将弹性纳米导热材料密封在孔洞中，得到低应力高导热半导体衬底。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述光刻处理包括依次进行的衬底片清洗预处理、匀胶、软烘、曝光、坚膜和显影。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀处理包括依次进行的湿法刻蚀和干法刻蚀，所述湿法刻蚀采用的腐蚀溶液为HBr和HNO3混合水溶液，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体为SF6-Ar混合气体。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀衬底的孔洞内填充弹性纳米导热材料的方法，包括以下步骤：在所述刻蚀衬底的背面涂覆弹性纳米导热材料分散液，在超声条件下使弹性纳米导热材料分散液填充到刻蚀衬底的孔洞内，干燥后完成弹性纳米导热材料的填充。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述弹性纳米导热材料分散液的浓度为1～5mg/mL。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述涂覆和超声的次数为若干次，所述超声的频率为110～130Hz，单次超声的时间为2.5～3.5min。