1.一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，包括背电极，背电极上设置n型单晶硅，所述n型单晶硅的表面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层设置前电极，其特征在于，所述n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的垂直于所述n型单晶硅的表面的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述n型单晶硅的表面向下连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。

2.根据权利要求1所述的基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，其特征在于，所述非均匀盲孔深度为2～20μm，直径为200～2000μm，相邻的非均匀盲孔间距为500～5000nm。

3.根据权利要求1所述的基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，其特征在于，所述第一孔段和第二孔段的深度比值为0.2～5，第一孔段和第二孔段的直径比值为1.5～5.5。

4.根据权利要求1所述的基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，其特征在于，所述n

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型单晶硅的掺杂浓度为1×10 ～1×10 cm 。

5.根据权利要求1所述的基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，其特征在于，所述n型单晶硅的厚度为5～50μm。

6.根据权利要求1所述的基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯薄膜层厚度为0.01～0.5μm。

7.根据权利要求1所述的基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，其特征在于，在位于所述二氧化硅层通孔的区域的石墨烯薄膜层上设置光学减反层，所述光学减反层为若干层氮化硅薄膜叠置而成，光学减反层厚度为0.5～5μm。