1.一种宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，包括氧化硅衬底，所述氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，所述ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，所述ZnO纳米柱和所述钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，所述氧化硅衬底的表面及所述轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于所述ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的所述透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。

2.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述氧化硅衬底的厚度为20～2000μm。

3.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述ZnO纳米柱周期阵列结构的ZnO纳米柱直径为100～800nm，高度为100～8000nm，占空比为0.1～0.8。

4.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述钙钛矿纳米柱周期阵列结构的钙钛矿纳米柱直径为100～800nm，高度为100～8000nm，占空比为0.1～0.8，所述钙钛矿为CH3NH3PbI3。

5.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述透明导电薄膜为氧化钼、氧化铟锡、掺铝氧化锌和聚乙撑二氧噻吩中的一种，厚度为200～800nm。

6.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述金属栅线电极为Au、Ag、Al、Gu和Pt中的一种，厚度为20～1000nm。