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专利号: 2019202626643
申请人: 常熟理工学院
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-08-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池,其特征在于,包括n型单晶硅衬底,所述n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构,所述n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极,所述n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构,所述n型硅纳米柱和所述钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体,所述n型单晶硅衬底的第一面及所述轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜,所述透明导电薄膜引出导电电极与所述金属背电极对外供电。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述n型硅纳米柱周期阵列结构的n型硅纳米柱直径为100~800nm,高度为50~5000nm,占空比为0.1~

0.8。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿纳米柱周期阵列结构的钙钛矿纳米柱直径为100~800nm,高度为50~5000nm,占空比为0.1~

0.8,所述钙钛矿为CH3NH3PbI3。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述透明导电薄膜为氧化钼、氧化铟锡、掺铝氧化锌和聚乙撑二氧噻吩中的一种,厚度为200~800nm。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述导电电极为金属铝,厚度为20~1000nm。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述金属背电极为金属铝薄膜,厚度为20~1000nm。