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专利号: 2019214572930
申请人: 常熟理工学院
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种可控阵列式场发射X射线源装置,其特征在于,包括封装在外壳内部的场发射电子源部分、X射线源部分以及在外壳外部的测量系统;

其中,所述场发射电子源部分包括阵列式阴极、载有用于控制阵列式阴极发射电子密度和区域的IC芯片的PCB板、网状栅极;所述IC芯片置于PCB板背面,并通过数据线与计算机相连;所述PCB板正面设有若干金属凸点,所述阵列式阴极置于网状栅极的后方并通过所述金属凸点与PCB板电路相连,所述网状栅极与地线相连;

所述X射线部分包括铜靶、铍窗口、高压电源,所述铜靶和铍窗口固定在外壳上,所述铜靶与高压电源相连;

所述测量系统包括X射线探测器、放大器、示波器,所述X射线探测器设置于所述铍窗口外侧,并与放大器相连,所述放大器与示波器相连,所述示波器还连接所述计算机。

2.根据权利要求1所述的可控阵列式场发射X射线源装置,其特征在于,所述阵列式阴极为多孔结构,每个孔与所述金属凸点对应连接,金属凸点的前端部嵌入孔中。

3.根据权利要求1所述的可控阵列式场发射X射线源装置,其特征在于,所述高压电源为电压在0~50KV可控电源。