1.一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，所述背面钝化层形成于所述P型硅基体层背面，所述背面电极形成于所述背面钝化层上且局部穿过所述背面钝化层而和所述P型硅基体层形成欧姆接触，所述N型硅掺杂层形成于所述P型硅基体层的正面，其特征在于：所述N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，所述氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，所述P型硅基体层的所述正面为经制绒形成的凹凸起伏的绒面，所述N型硅掺杂层、所述氧化硅薄层及所述N+型多晶硅层分别具有相应的凹凸起伏的上表面，所述正面钝化层层叠形成在所述N+型多晶硅层及所述N型硅掺杂层的其他区域上，所述正面电极透过所述正面钝化层并形成在所述N+型多晶硅层的上表面上，以和所述N+型多晶硅层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述N+型多晶硅层的厚度为10～

200nm。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述氧化硅薄层的厚度为0.1～

2nm。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述背面钝化层上开设有槽，所述P型硅基体层具有对应所述槽处的P+型硅部位，所述背面电极的局部穿过所述槽并和所述P+型硅部位形成欧姆接触。