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专利号: 2019218962574
申请人: 常熟理工学院
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,包括透明导电玻璃衬底,所述衬底上设置银纳米光栅周期阵列结构,所述银纳米光栅上制备TiO2薄膜层构成核壳阵列结构作为电子传输层;所述TiO2薄膜上设置钙钛矿吸收层,再在钙钛矿吸收层上设置空穴传输层;所述空穴传输层上设置金属薄膜,由所述衬底和金属薄膜作为导电电极引出光生电荷对外电路供电。

2.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电玻璃衬底为FTO透明玻璃,所述透明导电玻璃衬底厚度为1~10μm,光透过率不小于80%。

3.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述银纳米光栅的周期为50~1000nm,所述银纳米光栅的高度为100~1000nm,所述银纳米光栅周期阵列结构的占空比为0.1~0.8,所述TiO2薄膜厚度为30~100nm。

4.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述银纳米光栅的周期为150~300nm,所述银纳米光栅的高度为100~1000nm,所述银纳米光栅周期阵列结构的占空比为0.4~0.5,所述TiO2薄膜厚度为50~60nm。

5.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿吸收层的最薄处厚度为100~500nm。

6.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层为氧化镍、氧化钨、Spiro-OMeTAD之一,厚度为150~800nm。

7.根据权利要求1所述的具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池,其特征在于,所述金属薄膜的材料为Au、Ag、Al、Gu、Pt之一,厚度为10~500nm。