1.一种提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，包括调制电路及顺次连接的预调制级电路、前级驱动级电路、末级输出电路；所述调制电路与预调制级电路、前级驱动级电路、末级输出电路均连接；

所述调制电路包括负压保护电路、负载开关电路、半桥驱动电路、预调制级驱动电路；

负载开关电路、半桥驱动电路、预调制级驱动电路设置调制信号输入端，均耦合到输入调制信号；

预调制级电路还设置射频信号输入端，耦合到外部射频信号源，其射频信号输出端连接前级驱动电路的射频信号输入端；前级驱动电路的射频信号输出端连接末级输出电路射频信号输入端；末级输出电路射频信号输入端的射频信号输出端耦合到负载或者天线；

前级驱动电路由一级或者多级放大器级联耦接而成，第一个驱动放大器的射频信号输入端连接预调制级电路的射频信号输出端，各个驱动放大器的电源供电端连接至负载开关电路的输出端；末级输出电路包含一个功放管，该功放管的调制电源端连接到半桥驱动电路的电压输出端。

2.如权利要求1所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，预调制级电路与预调制级驱动电路连接，接受预调制级驱动电路的控制；预调制级电路由单刀双掷射频微波开关和第三电阻组成，连接关系为：单刀双掷射频微波开关的公共端连接至前级驱动级电路的射频信号输入端，单刀双掷微波射频开关的一个射频信号输出端连接前级驱动电路的射频信号输入端，单刀双掷微波射频开关的射频信号输入端连接外部功放模块的射频信号，单刀双掷射频微波开关的另一个射频信号输出端连接至第三电阻一端，第三电阻另一端端接地,单刀双掷微波射频开关的两个控制端连接至预调制级驱动电路。

3.如权利要求1所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，所述负压保护电路包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第一PMOS管、第三三极管、第二三极管，第三二极管；第一PMOS管的源极与栅极分别连接第四电阻两端，源极与第四电阻的连接点连接第六电容一端且该连接点接线作为负载保护电路的电压输入端，第六电容一端另一端接地，漏极连接第七电容一端且连接点接线作为负载开关电路的输出端，第七电容另一端接地；栅极与第四电阻的连接点连接第五电阻后连接第三三极管集电极；第三三极管的集电极与基极之间连接第八电容，发射极接地，基极与第八电容的连接点连接第六电阻一端；第六电阻另一端连接第二三极管的集电极，第二三极管的基极与发射极之间连接有第七电阻且连接点连接电压源，第二三极管的基极与第七电阻的连接点连接第三三极管阳极，第三三极管阴极连接第八电阻一端及第九电阻一端，第八电阻另一端连接负电压，第九电容的另一端接地。

4.如权利要求3所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，所述负压保护电路中，第一PMOS管的源极与第四电阻的连接点所连接的电压为适合末级输出级的电压。

5.如权利要求1所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，负载开关电路包括第十五三极管、第十四PMOS管、第十一电容、第二十电阻、第二十一电阻、第二十二电阻、第十三电容、第十二电容；第十四PMOS管源极与栅极之间连接有第二十电阻，源极与第二十电阻的连接点连接第十一电容的一端且该连接点接线作为电压输入端，第十一电容的另一端接地；第十四PMOS管漏极接第十二电容的一端且接线点接线作为电压输出端，第十二电容的另一端接地；栅极与第二十电阻的连接点连接第二十一电阻一端，第二十一电阻另一端连接第十五三极管集电极，第十三电阻与第二十一电阻并联；第十五三极管的发射极接地，基极连接第二十二电阻一端，第二十二电阻另一端耦合到输入调制信号。

6.如权利要求5所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，所述第十四PMOS管源极与第二十电阻连接点连接的电压为适合末级输出级的电压。

7.如权利要求1所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，半桥驱动电路包括一个半桥驱动芯片、第十六NMOS管、第十七NMOS管；该半桥驱动芯片设置有自举引脚、输入调制信号连接引脚，所述自举引脚连接电源，输入调制信号连接引脚耦合到输入调制信号；第十六NMOS管的源级输出作为半桥驱动电路输出端，漏极连接到负压保护电路，栅极连接半桥驱动芯片，源极还连接第十七NMOS管的漏极且该连接点连接到半桥驱动信号，且连接点的输出作为半桥及半桥驱动芯片的控制信号输出端；第十七NMOS管的源极接地,栅极连接半桥驱动芯片。

8.如权利要求7所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，所述自举引脚所连接电源的电压高于末级输出级功放管的工作电压及第十六NMOS阈值电压之和且不高于第十六NMOS的栅极击穿电压。

9.如权利要求2所述的提高脉冲功放输出信号包络上升沿下降沿指标的电路，其特征在于，所述预调制级驱动电路的结构为：包括结构相同的第一子电路、第二子电路，所述第一子电路及第二三极管均包括第十三电阻、第十二电阻、第六PMOS管、第十电阻、第十二电阻、第十一电阻、第九电阻、第四稳压二极管、第三二极管、第五三极管、第七三极管、第四三极管、第八三极管；连接关系为：第六PMOS管源极连接正电压，栅极连接第十三电阻一端，第十三电阻的另一端接地，漏极连接第十电阻一端，并顺次连接第四稳压二极管、第十二电阻一端；第十电阻另一端连接第五三极管的基极，第十二电阻的另一端连接第十一电阻一端，第十一电阻另一端连接第七三极管基极及第四三极管的集电极；第四三极管的发射极顺次连接第三二极管及第五三极管发射极，且第三二极管与第五三极管的连接点接地；第十二电阻与第十一电阻的连接点连接负电压及第八三极管的发射极；第五三极管的集电极连接第四三极管的基极及第九电阻一端，第九电阻另一端连接正电压源及第四三极管的发射极；第四三极管的集电极与第八三级管的集电极连接，其连接点连接到预调制级电路中单刀双掷微波射频开关的一个控制端；

第一子电路的第六PMOS管的漏极还连接第二子电路的第十一PMOS管的栅极，栅极耦合到输入调制信号。