1.一种沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，包括：直流电源、沙漏型阻抗网络、第二开关管模块、第三电容、第四电容、第三二极管、第四二极管和负载；

所述沙漏型阻抗网络包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管和第一开关管模块；

所述第二开关管模块的第一端连接所述直流电源的负端和所述第三二极管的阴极；

所述第二开关管模块的第二端连接所述第二电容的第一端、所述第二电感的一端、所述第三电容的第一端和所述第四电容的第二端；

所述第三电容的第二端连接所述第三二极管的阳极和所述负载的负端；

所述第一开关管模块的第一端连接所述第二电感的另一端、所述第四二极管的阳极和所述第一二极管的阴极；

所述第一开关管模块的第二端连接所述第一电容的第一端和所述第二二极管的阴极；

所述第二二极管的阳极连接所述第二电容的第一端；

所述第四电容的第一端连接所述第四二极管的阴极和所述负载的正端；

所述第一电感的一端连接所述直流电源的正端和所述第一电容的第二端；

所述第一电感的另一端连接所述第二电容的第二端和所述第一二极管的阳极。

2.根据权利要求1所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块同时开通或关断。

3.根据权利要求1所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为IGBT管；

所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第一端为所述IGBT管的发射极，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第二端为所述IGBT管的集电极。

4.根据权利要求1所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为NMOS管；

所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第一端为所述NMOS管的源极，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第二端为所述NMOS管的漏极。

5.根据权利要求3或4所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为单个开关管。

6.根据权利要求3或4所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为两个以上并联的开关管串；

每个所述开关管串包括两个以上串联的开关管。

7.根据权利要求1所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容和第四电容均为极性电容；

所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端和所述第四电容的第一端均为正端；

所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端、所述第三电容和所述第四电容的第二端均为负端。

8.根据权利要求1所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一电感和所述第二电感的电感值相等。

9.根据权利要求8所述的沙漏型阻抗网络升压变换器，其特征在于，所述第一电感和所述第二电感的电感值为220μH；

所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容和所述第四电容的电容值均为47μF。

10.一种开关电源，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的沙漏型阻抗网络升压变换器。