1.一种面发射激光器阵列，其特征在于，其包括位于同一芯片上的若干个激光器单管(100)，所述激光器单管(100)纵向设置，且若干个所述激光器单管(100)依次错位排布用于实现对各个激光器单管(100)光束输出区中有源层的载流子侧向注入；

所述激光器单管(100)包括从上往下依次设置的第一DBR区(1)、第一电极区(2)、光束输出区(3)、第二电极区(4)以及第二DBR区(5)，且所述第一DBR区(1)、第一电极区(2)与第二电极区(4)、第二DBR区(5)相对于光束输出区(3)对称；

在所述光束输出区(3)中靠近其相邻两侧激光器单管(100)的第一电极区(2)和第二电极区(4)的两侧位置设置有浅刻蚀槽(6)，所述浅刻蚀槽(6)的长度和光束输出区(3)的长度相同用于形成脊型结构以限制波导内的光场，所述浅刻蚀槽(6)为多棱柱结构。

2.根据权利要求1所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，所述第一DBR区(1)和第二DBR区(5)中分别靠近其相邻激光器单管(100)的第一电极区(2)和第二电极区(4)的一侧位置设置有深刻蚀槽(7)，所述深刻蚀槽(7)为多棱柱结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，所述第一DBR区(1)和第二DBR区(5)的表面均刻蚀有光栅(11)用作高反射镜，所述光栅(11)上覆盖有薄膜(12)用以形成无源DBR区。

4.根据权利要求3所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，所述光束输出区(3)表面刻蚀有二阶光栅(31)用以实现光的表面输出耦合和纵向反馈耦合。

5.根据权利要求1所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，同一激光器单管(100)的第一DBR区(1)与光束输出区(3)之间设置有接触电极(8)，且所述接触电极(8)覆盖至第一DBR区(1)的表面；

同一激光器单管的第二DBR区(5)与光束输出区(3)之间亦设置有接触电极(8)，且所述接触电极(8)覆盖至第二DBR区(5)的表面。

6.根据权利要求5所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，所述第一电极区(2)、第二电极区(4)、第一DBR区(1)和第二DBR区(5)均包括从上而下依次设置的p面电极层(21)、p盖层(22)、p包层(23)、有源层(24)、n包层(25)、n盖层(26)、缓冲层(27)、衬底层(28)以及n面电极(29)；其中对于第一DBR区(1)和第二DBR区(5)，p面电极层(21)和p盖层(22)之间设置有一层绝缘薄膜。

7.根据权利要求6所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，所述光束输出区(3)包括从上而下依次设置的p盖层(22)、p包层(23)、有源层(24)、n包层(25)、n盖层(26)、缓冲层(27)、衬底层(28)以及n面电极(29)。

8.根据权利要求7所述的一种面发射激光器阵列，其特征在于，所述第一DBR区(1)和第二DBR区(5)的衬底层(28)布设有绝缘介质薄膜(281)，且所述绝缘介质薄膜(281)的长度大于第一DBR区(1)的长度，但小于第一DBR区(1)和第一电极区(2)的长度和。