1.一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，包括衬底(1)，衬底(1)上依次为n‑SiC缓冲层(2)、n‑SiC漂移区(3)，n‑SiC漂移区(3)上端面覆盖有阳极(5)，衬底(1)下端面覆盖有阴极(6)，n‑SiC漂移区(3)上表面靠近阳极(5)位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区(4)，所述p‑NiO结区(4)的下端面有p‑SiC结区(7)，p‑SiC结区(7)材料为p型SiC，p‑SiC结区(7)的结深为0.5μm，p‑SiC结区(7)的宽度为0.2μm‑0.9μm。

2.根据权利要求1所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述p‑NiO结区(4)材料为p型NiO，p‑NiO结区(4)的厚度为0.5μm‑5μm，p‑NiO结区(4)的宽度为0.5μm‑10μm。

3.根据权利要求1所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述衬2

底(1)材料为n型SiC，衬底(1)的厚度为100μm‑1mm，衬底(1)的上下端表面积为1.0mm ‑2

2.25cm。

4.根据权利要求1所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述n‑SiC缓冲层(2)的材料为n型SiC，n‑SiC缓冲层(2)的厚度为0.1μm‑3.0μm，n‑SiC缓冲层(2)的

2 2

上下端表面积为1.0mm‑2.25cm。

5.根据权利要求1所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述n‑SiC漂移区(3)的材料为n型SiC，n‑SiC漂移区(3)的厚度为1μm‑100μm，n‑SiC漂移区(3)的上

2 2

下端表面积为1.0mm‑2.25cm。

6.根据权利要求1所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述阳极(5)包括阳极压焊块，阳极压焊块覆盖在阳极金属的上表面，阳极金属与所述n‑SiC漂移区(3)及p‑NiO结区(4)连接，阳极(5)厚度为0.1μm‑100μm。

7.根据权利要求6所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述阳极压焊块、阳极金属为Ti、Ni、W、Ta、Al、Ag、Cu或Au之一，或Ti、Ni、W、Ta、Al、Ag、Au、Cu中任意多种的组合。

8.根据权利要求1～5任一项所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述阴极(6)包括阴极压焊块，阴极压焊块覆盖在阴极金属的下端面，阴极金属与所述衬底(1)连接，阴极(6)厚度为0.1μm‑100μm。

9.根据权利要求8所述的一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，其特征在于，所述阴极压焊块、阴极金属为Ti、Ni、W、Ta、Al、Ag、Cu或Au之一，或Ti、Ni、W、Ta、Al、Ag、Au、Cu中任意多种的组合。