1.一种透明导电薄膜，其特征在于：包括由m层厚度为0.5nm‑3nm的氧化钛薄膜构成的氧化钛层、及由n层厚度为0.05nm‑0.1nm的氧化钽薄膜构成的氧化钽层；所述氧化钛层与所述氧化钽层交替层叠设置M层，其中，m＞1，n＞1，M＞1；所述m的数值为n的数值的18‑30倍。

2.根据权利要求1所述的一种透明导电薄膜，其特征在于：所述M的数值为10‑30。

3.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括步骤：S1：形成由m层厚度为0.5nm‑3nm的氧化钛薄膜构成的氧化钛层；

S2：在所述氧化钛薄膜表面覆盖形成由n层厚度为0.05nm‑0.1nm的氧化钽薄膜构成的氧化钽层；

上述步骤S1和S2为一个循环，进行M次所述循环，其中，m＞1，n＞1，M＞1；所述m为n的

18‑30倍。

4.根据权利要求3所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述M的数值为

10‑30次。

5.根据权利要求3所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述氧化钛薄膜使用原子层沉积法制备，沉积的前驱体为四氯化钛、四(二甲胺)钛或四(甲乙胺)钛中的一种；所述氧化钽薄膜使用原子层沉积法制备，沉积的前驱体为乙醇钽或五(二甲胺)钽；所述前驱体的引入时间为0.01‑0.05秒。

6.根据权利要求5所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述氧化钛薄膜沉积与所述氧化钽薄膜沉积的氧化剂为水蒸气或氧气。

7.根据权利要求6所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述氧化钛薄膜沉积与所述氧化钽薄膜沉积的氧化剂为氧气，在通入氧气时，同时对所述通入的氧气进行等离子处理；所述等离子处理作用时间为1‑30s，等离子体功率100‑300W。

8.根据权利要求3所述的一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：沉积压强为

0.09‑0.35托；沉积温度为90‑200摄氏度。