1.一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：包括

元胞结构：包括阳极肖特基金属Ni接触区(1)、N-低浓度外延层(4)、N+高浓度衬底层(5)、阴极金属Ni接触区(6)；所述肖特基金属Ni接触区(1)位于N-低浓度外延层(4)上表面；

所述N-低浓度外延层(4)位于肖特基金属Ni接触区(1)下表面与N+高浓度衬底层(5)上表面，且N-低浓度外延层(4)掺入n型杂质浓度为3×1015cm-3；所述N+高浓度衬底层(5)介于N-低浓度外延层(4)下表面与阴极金属Ni接触区(6)上表面，且N+高浓度衬底层(5)掺入n型杂质浓度为3×1018cm-3；所述阴极金属Ni接触区(6)位于N+高浓度衬底层(5)下表面；

终端结构：包括三阶斜台面金属Ni场板(7)、氮化层Si3N4(2)、氧化层SiO2(3)、N-低浓度外延层(4)、N+高浓度衬底层(5)、阴极金属Ni接触区(6)；所述三阶斜台面金属Ni场板(7)位于氮化层Si3N4(2)和氧化层SiO2(3)上表面；所述第一层氮化层Si3N4(2)位于三阶斜台面金属Ni场板(7)下表面和氧化层SiO2(3)上表面；所述氧化层SiO2(3)介于第一层氮化层Si3N4(2)下表面与第二层氮化层Si3N4(2)上表面；所述第二层氮化层Si3N4(2)位于氧化层SiO2(3)下表面和N-低浓度外延层(4)上表面；所述N-低浓度外延层(4)介于第二层氮化层Si3N4(2)下表面与N+高浓度衬底层(5)上表面N-低浓度外延层(4)，且N-低浓度外延层(4)掺入n型杂质浓度为3×1015cm-3；所述N+高浓度衬底层(5)介于N-低浓度外延层(4)下表面与阴极金属Ni接触区(6)上表面，且N+高浓度衬底层(5)掺入n型杂质浓度为3×1018cm-3；所述阴极金属Ni接触区(6)位于N+高浓度衬底层(5)下表面。

2.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：所述元胞结构和终端结构中，N-低浓度外延层(4)掺入n型杂质浓度为3×1015cm-3；N+高浓度衬底层(5)掺入n型杂质浓度为3×1018cm-3。

3.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：所述阳极金属接触区(1)的材料为Ti、Al、Pt中的一种。

4.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：所述阴极金属接触区(1)的材料为Ti、Al、Au、Pt、Pb中的一种。

5.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：所述斜台面金属场板(7)的材料为Ti和Al中的一种。

6.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：所述氮化层Si3N4(2)和氧化层SiO2(3)能够使用AlN进行替换。

7.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，其特征在于：所述的三阶斜台面金属场板能够使用二阶斜台面金属场板和四阶斜台面金属场板进行替换。