1.一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体；将S单质和WO3、Fe2O3、NaCl的混合物分别用刚玉舟置于多温区管式炉的上游和下游，进行加热硫化反应；所述多温区管式炉中通入氩气，所述的氩气的流量为20‑50sccm；所述多温区管式炉管内压强为50‑200Pa；所述基底Si/SiO2设置于顺气流方向距离钨源一定距离的位置。

2.根据权利要求1所述的一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于：所述多温区管式炉的上游温度为150‑210℃。

3.根据权利要求1所述的一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于：所述多温区管式炉的下游温度为900‑980℃。

4.根据权利要求1所述的一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于：所述硫化反应的升温时间为30‑50min，反应时间为25‑50min。

5.根据权利要求1所述的一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于：所述方法还包括硫化反应前对所用样品沉积基底Si/SiO2用丙酮进行超声清洗，后用乙醇清洗，最后用N2吹干。

6.根据权利要求1所述的一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于：所述方法还包括在硫化反应之前，进行清洗多温区管式炉及刚玉舟，并将装有反应源的刚玉舟放置于多温区管式炉的上下游。

7.根据权利要求6所述的一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，其特征在于：所述清洗多温区管式炉及刚玉舟的步骤中，使用氩气进行清洗。