1.一种Inconel625合金多层多道激光熔覆过程晶体生长数值模拟方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1：定义第一层第一道熔池形状；

步骤2：建立第一层第一道熔池中枝晶形核与生长模型；

步骤3：建立第一层第一道熔池中溶质分配与扩散模型；

步骤4：定义第一层第二道熔池形状；

步骤5：建立第一层第二道熔池中枝晶形核与生长模型；

步骤6：建立第一层第二道熔池中溶质分配与扩散模型；

步骤7：定义第二层第一道熔池形状；

步骤8：建立第二层第一道熔池中枝晶形核与生长模型；

步骤9：建立第二层第一道熔池中溶质分配与扩散模型；

步骤10：定义第二层第二道熔池形状；

步骤11：建立第二层第二道熔池中枝晶形核与生长模型；

步骤12：建立第二层第二道熔池中溶质分配与扩散模型；

步骤13：计算并导出模拟结果；

步骤1具体按照以下步骤实施：

步骤1.1、第一层第一道熔覆层模拟时，将整个模拟区域分为两个部分，上半部分熔池以外的区域定义为空气，下半部分熔池以外的区域定义为母材；

步骤1.2、上半部分熔池形状通过以下公式建立：步骤1.3、下半部分熔池形状通过以下公式建立：所述步骤1.2、1.3中(i,j)为任意一点的坐标；(i1,j1)为上半部分熔池顶部的坐标；

(i2,j2)为下半部分熔池底部的坐标；

步骤2具体按照以下步骤实施：

步骤2.1、步骤1模拟所得的熔池模型采用相同的基于高斯分布的准连续形核模型，在某一过冷度ΔT时所形成的晶粒密度n(ΔT)如下式所示：dn/d(ΔT)的表达式如下：

所述步骤2.1中：nmax为非均匀形核密度的最大值；ΔTσ为标准曲率过冷度；ΔTmax为最大形核过冷度；

步骤2.2、晶核形成后在过冷度的作用下会不断生长，在生长过程中排出的溶质浓度为：所述步骤2.2中：Dl为液相扩散系数；Δt为步长时间；dx为网格尺寸；

步骤2.3、随着晶粒的长大，液相不断地转变为固相，固相率的增长用下式进行计算：所述步骤2.3中：k0为溶质平衡分配系数；A为扰动因子；rand()能够在[0,1]产生一个随机数；

步骤3具体按照以下步骤实施：

枝晶在生长过程中排出的溶质会导致枝晶周围液相溶质浓度升高，使液相元胞间出现较大的浓度梯度，这必然加剧溶质的扩散，对于二维非稳态溶质扩散，采用如下控制方程：式中：Dl、Ds分别表示液相扩散系数和固相扩散系数；

步骤4具体按照以下步骤实施：

步骤4.1、第一层第二道熔覆时，在第一层第一道熔覆层的基础上，将激光热源向左偏移进行第二道熔覆，形成第一层第二道熔池；

步骤4.2、第一层第二道熔池的上半部分熔池形状通过以下公式建立：步骤4.3、第一层第二道熔池的下半部分熔池形状通过以下公式建立：所述步骤4.2、4.3中：(i,j)为任意一点的坐标；(i3,j3)为上半部分熔池顶部的坐标；

(i4,j4)为下半部分熔池底部的坐标；

步骤5与步骤2的具体实施步骤相同；

步骤6与步骤3的具体实施步骤相同；

步骤7具体按照以下步骤实施：

步骤7.1、第二层第一道熔覆时，在前一层熔覆层的基础上，将激光热源移动到第一层第一道熔覆层上方进行第二层第一道熔覆，形成第二层第一道熔池；

步骤7.2、第二层第一道熔池的上半部分熔池形状通过以下公式建立：步骤7.3、第二层第一道熔池的下半部分熔池形状通过以下公式建立：所述步骤7.2、7.3中：(i,j)为任意一点的坐标；(i5,j5)为上半部分熔池顶部的坐标；

(i6,j6)为下半部分熔池底部的坐标；

步骤8与步骤2的具体实施步骤相同；

步骤9与步骤3的具体实施步骤相同；

步骤10具体按照以下步骤实施：

步骤10.1、第二层第二道熔覆时，在第二层第一道熔覆层的基础上，将激光热源向左偏移进行第二层第二道熔覆，形成第二层第二道熔池；

步骤10.2、第二层第二道熔池的上半部分熔池形状通过以下公式建立：步骤10.3、第二层第二道熔池的下半部分熔池形状通过以下公式建立：所述步骤10.2、10.3式中：(i,j)为任意一点的坐标；(i7,j7)为上半部分熔池顶部的坐标；(i8,j8)为下半部分熔池底部的坐标；

步骤11与步骤2的具体实施步骤相同；

步骤12与步骤3的具体实施步骤相同。

2.根据权利要求1所述的一种Inconel625合金多层多道激光熔覆过程晶体生长数值模拟方法，其特征在于，步骤13具体按照以下步骤实施：基于步骤1～12所构建的模型进行编程，输入Inconel 625合金的热物性参数以及各种激光熔覆工艺参数，在数值模拟软件上进行计算即可得到Inconel 625合金多层多道激光熔覆过程中枝晶生长的模拟结果。