1.一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，其特征在于：所述曝光方法包括以下步骤：

a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；

b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光，曝光机景深共有1um的可用范围，以0.5um处做为中心焦距；第一区域曝光条件以中心焦距+0.3um、曝光能量以最适能量196msec进行曝光，第二区域曝光条件以中心焦距+0.2um、曝光能量以能量194msec进行曝光，第三区域曝光条件以中心焦距0.5um、曝光能量以能量192msec进行曝光；

c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；

d、显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphire wafer退出进行后续显影制程；

e、尺寸对比：完成显影制程后使用CD‑SEM量测即可得所需尺寸大小与差异化PATTERN图形分布；

f、图形观察：使用CD‑SEM观察变焦曝光显影后pattern profile，以治工具将曝光区域中心小面积位置表面光阻轻轻刮开推倒光阻后，观察光阻图形状况；

g、对比：将新制程所生产的光阻片进行蚀刻制程，并经AOI量测与蚀刻制程后的原制程所生产的光阻片比较差异。