1.一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：包括基底层（1），所述基底层（1）的上方设置有半导体异质结（2），所述半导体异质结（2）的上方设置有多个间隔排列的贵金属块（7）,所述基底层（1） 与半导体异质结（2）之间还设置有相互间隔的第一电极（3）、第二电极（4）；所述半导体异质结（2）包括半导体层（5），设置于半导体层（5）上方的多个相互间隔的半导体块（6）；所述半导体块（6）为周期排列；所述贵金属块（7）设置于半导体层（5）的上方；所述贵金属块（7）与半导体块（6）间隔排列，所述贵金属块（7）的高度高于所述半导体块（6）的高度；所述半导体层（5）和贵金属块（7）形成肖特基结，所述半导体层（5）中电子的能级比贵金属块（7）的功函数低，通过光垂直入射贵金属块（7）引发表面等离激元共振，从而在贵金属块（7）表面聚集形成强电场。

2.如权利要求 1 所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器， 其特征在于：所述半导体层（5）与半导体块（6）为不同的半导体材料制成。

3.如权利要求 1 所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器， 其特征在于：所述半导体层（5）的价带和导带均高于半导体块（6）的价带和导带。

4.如权利要求 1 所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器， 其特征在于：所述半导体层（5）是二氧化钛（TiO2）制成，所述半导体块（6）是二硫化钨制成。

5.如权利要求 1 所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器， 其特征在于：所述贵金属块（7）为周期排列。

6.如权利要求 1 所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器， 其特征在于：所述贵金属块（7）为楔形。