1.一种户外照明光源光效提高方法，其特征在于，包括提供一基板，位于所述基板上形成半结晶性层，位于所述半结晶性层上形成未掺杂层，位于所述未掺杂层上形成N型掺杂层，位于所述N型掺杂层上形成有源层，位于所述有源层上形成P型掺杂层；所述有源层包括周期性重叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层为铟镓氮层，量子垒层为氮化镓层，形成至少其中之一量子阱层后通入铟源，通入铟源后通入碳源，通入碳源后形成量子垒层。

2.如权利要求1所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，形成量子阱层后在通入铟源前形成氮化铝层。

3.如权利要求2所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，形成的氮化铝层位于N型掺杂层一侧。

4.如权利要求3所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，形成的氮化铝层位于与N型掺杂层距离最近的量子阱层上。

5.如权利要求1所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述有源层中形成每一个量子阱层后均通入铟源，通入铟源后通入碳源，通入碳源后形成量子垒层。

6.如权利要求5所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述有源层中从N型掺杂层一侧至P型掺杂层一侧在形成每一个量子阱层后通入的铟源流量逐渐增加。

7.如权利要求6所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述有源层中从N型掺杂层一侧至P型掺杂层一侧在形成每一个量子阱层后通入的碳源流量逐渐减小。

8.如权利要求1至7任一所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，通入碳源后还包括通入硅源。

9.如权利要求8所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，通入硅源的时间持续至量子磊层生长结束。

10.如权利要求9所述的户外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述硅源流量逐渐减小。