1.一种日盲紫外雪崩光电探测器，其特征在于：其结构从下至上依次为AlN模板层(1)、AlN缓冲层(2)、n型Alx1Ga1-x1N层(3)、i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)、n型GeS分离层(5)、i型Alx3Ga1-x3N倍增层(6)和p型GaN层(7)；所述n型Alx1Ga1-x1N层(3)上引出有n型欧姆电极(31)；

所述p型GaN层(7)上引出有p型欧姆电极(71)；所述n型GeS分离层(5)分别与i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)和i型Alx3Ga1-x3N倍增层(6)采用范德华力键合组合形成。

2.根据权利要求1所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述AlN模板层(1)厚度为500nm；所述AlN缓冲层(2)厚度为100～300nm；所述n型Alx1Ga1-x1N层(3)厚度为

100～300nm；所述i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)厚度为150～220nm；所述n型GeS分离层(5)厚度为1.2～1.8nm；所述i型Alx3Ga1-x3N倍增层(6)厚度为150～200nm；所述p型GaN层(7)厚度为

10～300nm。

3.根据权利要求1所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型GeS分离层(5)的层数设置为两层。

4.根据权利要求3所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型GeS分离层(5)每层的厚度相同。

5.根据权利要求1所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述AlN模板层(1)采用蓝宝石模板衬底。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的日盲紫外雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1：制作模块一，所述模块一从下至上依次包括AlN模板层(1)、AlN缓冲层(2)、n型Alx1Ga1-x1N层(3)和i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)；

S2：制作模块二，所述模块二从下至上依次包括AlN模板层(1)、AlN缓冲层(2)、i型Alx3Ga1-x3N层(6)和p型GaN层(7)；

S3：制作模块三，所述模块三包括模块三衬底和n型GeS分离层(5)；

S4：剥去模块二的AlN模板层(1)和AlN缓冲层(2)，制得i型Alx3Ga1-x3N层(6)和p型GaN层(7)的组合体；

S5：将各层从下至上进行组合，模块一的i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)和模块二的i型Alx3Ga1-x3N倍增层(6)均经由非原位法处理，模块三的n型GeS分离层(5)从模块三衬底剥离并分别采用范德华力键合技术与模块一的i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)和模块二的i型Alx3Ga1-x3N倍增层(6)进行组合；

S6：将一部分区域的p型GaN层(7)从上表面刻蚀至n型Alx1Ga1-x1N层(3)的上表面，形成台面，并对刻蚀后的样品表面进行净化处理；

S7：在n型Alx1Ga1-x1N层(3)台面上蒸镀n型欧姆电极(31)，蒸镀后对n型欧姆电极(31)进行退火处理；

S8：在p型GaN层(7)上蒸镀p型欧姆电极(71)，蒸镀后对p型欧姆电极(71)进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：所述模块一的制作方法包块以下步骤：S11：清洗蓝宝石衬底作为模块一衬底，在NH3气氛下表面氮化模块一衬底，在模块一衬底上形成AlN模板层(1)；

S12：在模块一的AlN模板层(1)上生长一层n型AlN缓冲层(2)；

S13：在模块一的AlN缓冲层(2)上生长一层n型Alx1Ga1-x1N层(3)；

S14：在n型Alx1Ga1-x1N层(3)上生长一层i型Alx2Ga1-x2N吸收层(4)。

8.根据权利要求6所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：所述模块二的制作方法包块以下步骤：S21：清洗蓝宝石衬底作为模块二衬底，在NH3气氛下表面氮化模块二衬底，在模块二衬底上形成AlN模板层(1)；

S22：在模块二的AlN模板层(1)上生长一层n型AlN缓冲层(2)；

S23：在模块二的AlN缓冲层(2)上生长一层i型Alx3Ga1-x3N层(6)；

S24：在i型Alx3Ga1-x3N倍增层(6)上生长一层p型GaN层(7)。

9.根据权利要求6所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：所述模块三的制备方法采用化学气相沉积法合成GeS块状薄片并将GeS块状薄片机械剥离到模块三衬底上。

10.根据权利要求6所述的一种日盲紫外雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：所述S5中非原位法处理包括以下步骤：S51：将样品沉浸在HF酸容易中浸泡；

S52：取出立即用N2吹干并放入真空系统，基础压强≤5×10-9Torr；

S53：在特高压条件下，基础压强＜5×10-9Torr，使用热丝加热样品进行热脱附过程，并在冷却之前保持15min。