1.一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于：以Si/SiO2为基板，采用WO3作为钨源、硫粉作为硫源、二氧化锰作为锰源、NaCl为添加剂，在三温区管式炉内采用化学气相沉积的方法生长出形状为三角形或多角形的Mn掺杂单层WS2二维晶体。

2.根据权利要求1所述的一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A，清洗Si/SiO2基片；

B，将盛有硫源的刚玉舟置于三温区管式炉的上温区，盛有锰源和NaCl的混合物的刚玉舟置于三温区管式炉的中间温区，盛有钨源的刚玉舟置于三温区管式炉的下温区，将Si/SiO2基片置于盛有钨源的刚玉舟一侧且靠近三温管式炉内排气口的位置，并将三温区管式炉封装起来；

C，用真空泵将三温区管式炉中压强抽至20-30Pa，将氩气通入三温区管式炉，并用调压阀调节压强为600-900Pa，真空泵持续保持抽气状态至反应结束，以维持该稳定压强；

D，加热并保温一段时间，反应结束自然冷却得到产品。

3.根据权利要求2所述的一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于：步骤C中调节氩气的气流量为20-80sccm。

4.根据权利要求2所述的一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于：步骤D中设置三温区管式炉的上温区升温时间为10-45min，升至反应温度160-240℃开始保温，保温时间10-35min。

5.根据权利要求2所述的一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于：步骤D中设置三温区管式炉的中温区升温时间为10-45min，升至反应温度500-900℃开始保温，保温时间10-45min。

6.根据权利要求2所述的一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于：步骤D中设置三温区管式炉的下温区升温时间为20-45min，升至反应温度700-1200℃开始保温，保温时间10-35min。

7.根据权利要求2所述的一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，其特征在于：步骤A中Si/SiO2基片用丙酮进行超声清洗，去除基片表面的有机物杂质，随后用去离子水冲洗干净基片，并用氮气枪吹干。