1.一种全耦合磁性元件，包括至少两相电路，每相电路由若干耦合单元（1）连接形成，其特征在于：每两相电路至少通过1个耦合单元（1）直接耦合，并且该两相电路电流中各自的直流分量产生的磁场方向相反。

2.根据权利要求1所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：包括N行×（N-1）列矩阵排列的结构相同的耦合单元（1），矩阵记为：A=（aij）N×N-1，其中aij 是矩阵A的第i 行第j 列耦合单元（1），N是≥2的自然数，i=1，2，3，……N，j=1，2，3，……N-1，每个耦合单元（1）具有磁芯（2）、一个正向绕组线圈（3）和一个反向绕组线圈（4），两个绕组线圈绕制在磁芯（2）上或磁芯（2）包裹两个绕组线圈，两个绕组线圈匝数相同，且两个绕组线圈电流在磁芯（2）中产生的磁力线方向相反， N个输入端位于矩阵的同侧，N个输出端位于矩阵的另一侧，当p=1时，第1个输入端经过a11，a12，a13，……a1（N-1）的正向绕组线圈（3），再经过a2（N-1），a3(N-2)，a4(N-3)，……aN1的反向绕组线圈（4），串联到达第1个输出端成为一相，当p=2、3，4，……N-1，第p个输入端经过a1（p-1），a2（p-2），a3（p-3），……a（p-1）1的反向绕组线圈（4），再经过ap1，ap2，ap3，……ap（N-1）的正向绕组线圈（3），之后经过a（p+1）（N-1），a（p+2）（N-2），a（p+3）（N-3），……aNp的反向绕组线圈（4），串联到达第p个输出端成为一相，当p=N，第p个输入端经过a1（p-1），a2（p-2），a3（p-3），……a（p-1）1的反向绕组线圈（4），再经过ap1，ap2，ap3，……ap（N-1）的正向绕组线圈（3），串联到达第N个输出端成为一相。

3.根据权利要求2所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4）均缠绕在磁芯（2）上，二者均为螺线管型线圈，磁芯（2）为单层或多层叠加，其中多层叠加由多层磁芯材料与绝缘材料次序堆叠形成，磁芯（2）设置为开环或闭环。

4.根据权利要求3所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述的耦合单元（1）采用多层叠合集成，从下到上包括底层导线层（5）、磁芯层（6）、顶层导线层（7），相邻两层之间具有绝缘层（8），底层导线层（5）和顶层导线层（7）之间需要连通的地方在绝缘层（8）上开有若干通孔（9），通孔（9）内填埋导电材料，两层导线通过通孔（9）形成螺线型缠绕在磁芯层（6）上，并在每相的输入端至输出端形成导电通路。

5.根据权利要求4所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述的底层导线层（5）、磁芯层（6）和顶层导线层（7）采用导电材料微纳加工方法制作，绝缘层（8）采用绝缘材料微纳加工方法制作，所述的微纳加工方法包括光刻、电化学沉积、物理气相沉积、干法刻蚀或湿法刻蚀方法。

6.根据权利要求2所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4）均为直线型线圈，磁芯（2）为上下两层，磁芯（2）上下层包裹正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4），磁芯（2）为单层或多层叠加，其中多层叠加由多层磁芯材料与绝缘材料次序堆叠形成，磁芯（2）设置为开环或闭环。

7.根据权利要求6所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述的耦合单元（1）采用多层叠合集成，从下到上包括底层磁芯（10）、下层导线层（11）和上层导线层（12），顶层磁芯（13），相邻两层之间具有绝缘层（8），下层导线层（11）和上层导线层（12）之间需要连通的地方开有通孔（9），通孔（9）内填埋导电材料，并在每相的输入端至输出端形成导电通路。

8.根据权利要求2所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述磁芯（2）为两个，每个磁芯（2）包括一个底层磁芯（10）和一个顶层磁芯（13），所述的正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4）分别为螺旋型，两个磁芯（2）分别包裹正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4），每个磁芯（2）的底层磁芯（10）和顶层磁芯（13）为单层或多层叠加，其中多层叠加由多层磁芯材料与绝缘材料次序堆叠形成，并设置为开环或闭环。

9.根据权利要求8所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述的耦合单元（1）采用多层叠合集成，从下到上包括底层磁芯（10）、下层导线层（11）、上层导线层（12）和顶层磁芯（13），相邻两层之间具有绝缘层（8），下层导线层（11）和上层导线层（12）之间需要连通的地方开有通孔（9），通孔（9）内填埋导电材料，每层导线层均是正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4）螺旋交叉对称排布，正向绕组线圈（3）和反向绕组线圈（4）螺旋方向相反，下层导线层中的正、反向绕组线圈分别通过通孔（9）与上层导线层中的正、反向绕组线圈正向连接。

10.根据权利要求7或9所述的一种全耦合磁性元件，其特征在于：所述的底层磁芯（10）、下层导线层（11）、上层导线层（12）和顶层磁芯（13）采用导电材料微纳加工方法制作，绝缘层（8）采用绝缘材料微纳加工方法制作，所述的微纳加工方法包括光刻、电化学沉积、物理气相沉积、干法刻蚀或湿法刻蚀方法。