1.一种超低电压负反馈调制能量收集电路，其特征在于，包括：MOS管组；第一二极管D1；

第二二极管D2；变压器；第一电容C1；第二电容C2；负电压发生器；第一比较器以及放大器；第二电阻R2；第三电阻R3；第四电阻R4以及第五电阻R5；

所述的MOS管组包括第一MOS管M1、第二MOS管M2，第三MOS管M3以及第四MOS管M4；

所述的第一MOS管M1的源极以及所述的第二MOS管M2的源极均接地；

所述的第一MOS管M1的栅极与所述的负电压发生器的输出端相连；

所述的第二MOS管M2的栅极与所述的第三MOS管M3的栅极相连；

所述的第三MOS管M3的源极接地，所述的第三MOS管M3的漏极与所述的第一二极管D1的阳极相连；

所述的第一二极管D1的阴极与输出端口相连；

所述负电压发生器的第一端口接地；

所述负电压发生器的第二端口与所述第四MOS管M4的漏极相连；

所述负电压发生器的第三端口与输出端口相连；

所述输出端口相连与所述第三电阻R3的一端相连，所述第三电阻R3的另一端与所述第四电阻R4的一端相连，所述第四电阻R4的另一端与所述第五电阻R5的一端相连，所述第五电阻R5的另一端接地；

所述第三电阻R3的另一端与所述第一比较器的同向输入端相连，所述第一比较器的反向输入端与所述放大器的反向输入端相连；

所述第一比较器的输出端与所述放大器的使能端相连；

所述放大器的同向输入端与所述第五电阻R5的一端相连，所述放大器的输出端与所述第四MOS管M4的栅极相连；

所述第四MOS管M4的源极与所述第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一端接地；

所述的变压器的原边侧一端与输入端口相连，所述变压器原边侧另一端与所述第一MOS管M1的漏极相连；

所述的变压器的副边侧一端与第二电容C2的一端相连，所述变压器的副边侧的另一端接地；

所述第二电容C2的另一端与所述第二二极管D2的阳极相连，所述第二二极管D2的阴极与输出端口相连；

所述第一电容C1的一端与所述第二电容C2的一端相连，所述第二电容C1的另一端与所述第三MOS管M3的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负电压发生器包括第二比较器，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第三电容C3，第四电容C4以及第四二极管D4；

所述负电压发生器的第一端口与所述第二比较器的反向输入端相连；

所述负电压发生器的第一端口与所述第二比较器的同向输入端相连；

所述第二比较器分别与所述第五MOS管M5的栅极、所述第六MOS管M6的栅极以及所述第七MOS管M7的栅极相连；

所述第五MOS管M5的源极与所述负电压发生器的第三端口相连；

所述第五MOS管M5的漏极与所述第七MOS管M7的漏极相连；

所述第七MOS管M7的漏极与所述第三电容C3的一端相连，所述第三电容C3的另一端与所述第六MOS管M6的漏极相连；

所述第六MOS管M6的源极接地；

所述第六MOS管M6的漏极与所述第四二极管D4的阴极相连，所述述第四二极管D4的阳极与所述负电压发生器的输出端相连；

所述第四电容C4的一端与所述第七MOS管M7的漏极相连，所述第四电容C4的另一端与所述负电压发生器的输出端相连。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管M1、第二MOS管M2均为耗尽型NMOS管；

所述第三MOS管M3、第四MOS管M4均为增强型NMOS管。