1.一种磁电容元件，包括：

磁性合金薄膜；以及

位于磁性合金薄膜两侧的铁电薄膜；

其中，所述磁性合金薄膜为二元磁性合金薄膜、三元磁性合金薄膜或四元磁性合金薄膜，所述磁性合金薄膜中的磁性金属选自于以下元素：Fe、Mn、Co、Tb；

其中，所述铁电薄膜选自于以下薄膜：Ba(ZrxTi1‑x)O3、Bi4‑xLaxTi3O12、Pb(MgxNb1‑x)O3、Pb(ScxNb1‑x)O3、(PbxBa1‑x)TiO3，下标x表示相应元素在元素组合中的摩尔含量比例，0.1

1。

2.如权利要求1所述的磁电容元件，其中，所述磁性合金薄膜选自于以下薄膜：FeyMn1‑y，FeyCo1‑y，MnyTb1‑y，下标y表示相应元素在磁性合金中的摩尔含量比例，0.05≤y≤0.95。

3.如权利要求1所述的磁电容元件，其中，所述磁性合金薄膜为Fe0.5Mn0.5薄膜，所述铁电薄膜为Ba(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜。

4.一种磁电容元件的制备方法，包括：

在基片上依次制备下层铁电薄膜、磁性合金薄膜和上层铁电薄膜；

其中，所述磁性合金薄膜为二元磁性合金薄膜、三元磁性合金薄膜或四元磁性合金薄膜，所述磁性合金薄膜中的磁性金属选自于以下元素：Fe、Mn、Co、Tb；

其中，所述铁电薄膜选自于以下薄膜：Ba(ZrxTi1‑x)O3、Bi4‑xLaxTi3O12、Pb(MgxNb1‑x)O3、Pb(ScxNb1‑x)O3、(PbxBa1‑x)TiO3，下标x表示相应元素在元素组合中的摩尔含量比例，0.1

1。

5.如权利要求4所述的制备方法，其中，制备铁电薄膜和/或磁性合金薄膜的方法选自于以下方法：脉冲激光沉积法、磁控溅射、分子束外延或化学气相沉积。

6.如权利要求5所述的制备方法，其中，制备铁电薄膜和磁性合金薄膜的方法为脉冲激光沉积法；

所述在基片上依次制备下层铁电薄膜、磁性合金薄膜和上层铁电薄膜的步骤中，基片温度介于500℃～700℃之间，氧分压介于1Pa～100Pa之间。

7.如权利要求6所述的制备方法，其中，所述磁性合金薄膜为Fe0.5Mn0.5薄膜，所述铁电薄膜为Ba(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜；制备铁电薄膜和磁性合金薄膜的方法为脉冲激光沉积法、磁控溅射或激光分子束外延；

所述在基片上依次制备下层铁电薄膜、磁性合金薄膜和上层铁电薄膜的步骤之前还包括：采用固体化学反应法制备Fe0.5Mn0.5靶材，该靶材烧结温度为1200℃～1450℃，烧结时间

1h～3h；采用固体化学反应法制备Ba(Zr0.3Ti0.7)O3靶材，该靶材的烧结温度1100℃～1400℃，烧结时间1h～4h。

8.如权利要求4至7中任一项所述的制备方法，其中，所述在基片上依次制备下层铁电薄膜、磁性合金薄膜和上层铁电薄膜的步骤之后还包括：对多层薄膜进行退火，退火温度为

600℃～650℃，氧分压为100Pa～1000Pa，退火时间为：30min～180min。