1.一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将废硅粉和镁粉研磨混合，所得的混合物加入溶剂后，进行物理球磨，之后烘干，得到硅镁合金粉体；

S2、在惰性气体保护下，将步骤S1得到的硅镁合金粉体进行加热反应，之后随炉冷却，研磨，得到硅化镁粉体；

S3、在CO2氛围下，对步骤S2得到的硅化镁粉体进行加热处理，所述加热处理的条件温度为600～650℃，时间为30分钟～2小时，之后随炉冷却，研磨，酸洗，得到所述多孔Si/SiC/C材料，所述多孔Si/SiC/C材料为纳米级颗粒，尺寸为100～300nm；SiC/C保护层内部为硅化镁在二氧化碳氛围中被还原生成的硅颗粒，SiC/C保护层的厚度为50‑250nm。

2.根据权利要求1所述的多孔Si/SiC/C材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述废硅粉为光伏产业中切削硅锭产生的高纯度硅粉，硅含量大于等于99.9％；

任选的，步骤S1中，废硅粉和镁粉按质量比为1:1.8～1:2.2进行研磨混合；

任选的，步骤S1中，所述溶剂为无水乙醇，所述物理球磨采用行星式球磨机，时间为15分钟～24小时；

任选的，步骤S1中，所述烘干的温度为40～60℃。

3.根据权利要求1或2所述的多孔Si/SiC/C材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述加热反应的条件包括温度为500～550℃，时间为1～6小时；

任选的，步骤S2中，所述加热反应的具体过程为：在惰性气体保护下，以1～5℃/min的升/降温速率将温度转换至500～550℃并保温1～6小时。

4.根据权利要求1或2所述的多孔Si/SiC/C材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述加热处理的具体过程为：在CO2氛围下，以5～15℃/min的升/降温速率将温度转换至600～650℃并保温30分钟～2小时；

任选的，步骤S3中，所述酸洗的溶液为盐酸水溶液、氢氟酸水溶液中的一种或两种。

5.一种多孔Si/SiC/C材料，运用权利要求1～4中任一项所述的多孔Si/SiC/C材料的制备方法制备得到，其特征在于，所述多孔Si/SiC/C材料为纳米级颗粒，尺寸为100～300nm。

6.根据权利要求5所述的多孔Si/SiC/C材料，其特征在于，所述多孔Si/SiC/C材料的结构为：内部为硅颗粒，所述硅颗粒外部被碳掺杂的碳化硅层所包裹，形成SiC/C壳层，并且所述SiC/C壳层中具有多个孔隙。

7.根据权利要求6所述的多孔Si/SiC/C材料，其特征在于，所述SiC/C壳层的厚度为50～250nm。

8.一种负极材料，包括活性材料、导电剂和粘结剂，其特征在于，所述活性材料为权利要求5‑7中任一项所述的多孔Si/SiC/C材料。

9.一种负极，包括集流体，其特征在于，所述集流体表面覆盖由权利要求8所述负极材料形成的涂层。

10.一种锂离子电池，包括负极、正极和电解质，其特征在于，所述负极为权利要求9所述负极。