1.一种高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连。

2.根据权利要求1所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属-氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。

3.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：把显影液中取出的光刻胶图形放入去离子水中晃动水洗，洗好取出后用高纯N2吹干；把光刻胶图形样品放入PEALD设备反应腔，设定反应温度在40～120℃之间，把化合物反应前驱体等离子体化后通入反应腔1～600秒之间，等离子体化反应前驱体通入反应腔的时间要保证其能完成对光刻胶图形表面的完全浸润，并与H2O进行充分反应，使用惰性气体或不与反应前驱体发生化学反应的气体吹扫1～600秒之间，去除多余的反应物和副产物。

4.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述光刻胶图形为正胶或负胶，引入的金属/类金属-氧化学键附着在光刻胶分子之上。

5.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述的等离子体辅助离化是指，利用等离子体辅助原子层淀积镀膜设备，功率需满足使化合物前驱体等离子化的要求。

6.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述的化合物前驱体包括Si、Zr、Hf、Ti、Mg、Al、Fe、Zn、Ni、Ta、W的一种或多种反应前驱体。

7.根据权利要求6所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述的Si反应前驱体包括三(二甲基氨基)硅、四氯化硅，源温在15～50℃之间，反应腔的温度保持在80～

120 ℃之间；

所述的Zr反应前驱体包括四(乙基甲基氨)锆、四氯化锆、四(二甲胺)锆，源温在60～

120 ℃之间，反应腔的温度保持在80～120 ℃之间；

所述的Hf反应前驱体包括四双(乙基甲基氨)铪、氯化铪，源温在60～120 ℃之间，反应腔的温度保持在80～120 ℃之间；

所述的Ti反应前驱体包括四(乙氧基)钛、四氯化钛、四(丙氧基)钛，源温在40～100 ℃之间，反应腔的温度保持在60～120 ℃之间。

8.所述的Mg反应前驱体包括双( 环戊二烯)镁、双(乙基环戊二烯)镁，源温在50～120 ℃之间，反应腔的温度保持在60～120 ℃之间；

所述的Al反应前驱体包括三甲基铝、三氯化铝、溴化铝，源温在18～45 ℃之间，反应腔的温度保持在40～120 ℃之间；

所述的Fe反应前驱体包括三(四甲基庚二酮酸)铁、三(叔丁氧基)铁，源温在40～120 ℃之间，反应腔的温度保持在60～120 ℃之间；

所述的Zn反应前驱体包括二乙基锌、二甲基锌，源温在18～45 ℃之间，反应腔的温度保持在40～120 ℃之间；

所述的Ni反应前驱体包括双(二甲胺基甲基丙醇基)镍、双(环戊二烯)镍，源温在40～

120 ℃之间，反应腔的温度保持在70～120 ℃之间；

所述的Ta反应前驱体包括五(二甲氨基)钽、五(二乙氨基)钽，源温在40～120 ℃之间，反应腔的温度保持在50～120 ℃之间；

所述的W反应前驱体包括二甲胺基钨、氟化钨，源温在60～120 ℃之间，反应腔的温度保持在80～120 ℃之间。