1.石墨烯量子点掺杂的上转换激光晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：将单层氧化石墨烯加入聚乙烯醇水溶液中制得浓度为2mg/mL～10mg/mL的氧化石墨烯分散液，加入氧化镱、氧化铒和3～5倍单层氧化石墨烯质量的聚甲基吡咯烷酮，分散均匀后，转移至坩埚中，将坩埚置于马弗炉中煅烧，用60～90℃的热水洗涤坩埚中固体混合物，干燥制得镱铒掺杂的石墨烯量子点；

S2：将NaYF4加入10～20倍质量的乙醇中，加热至40～60℃，搅拌下加入体积比为3:2的乙酰丙酮/水混合溶剂，室温下静置老化2～3天，得凝胶；

S3：将步骤S1所得的镱铒掺杂的石墨烯量子点加入步骤S2所得凝胶中，搅拌均匀后，干燥，得分散体系；

S4：将步骤S3所得的分散体系加入乙醇中，超声分散均匀，蒸除溶剂，成型，烧结，得烧结料；

S5：将烧结料放入生长炉的铱金坩埚中，以纯的β～Ga2O3晶体作为生长用的籽晶，在生长炉中生长，即得石墨烯量子点掺杂的上转换激光晶体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，聚乙烯醇水溶液的质量百分比浓度为6～8％；煅烧工艺为：以1.5～5℃/分钟的速度升温至500～600℃后，在空气氛围中煅烧2～8h，自然降温至室温。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述乙醇和乙酰丙酮/水混合溶剂的体积比为25～40:1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，干燥工艺为：60℃干燥

8～24h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，烧结的工艺条件为空气气氛下，1500～1700℃恒温15～20h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S5中，在生长炉中生长工艺为：生长炉抽低真空至炉压<10Pa后，充入Ar气，1380～1420℃加热并恒温0.5～0.8h，再充入CO2气体，继续升温至1800～1900℃，恒温；将籽晶浸入模具上端熔体，待籽晶与熔体充分熔接后，依次进行引晶缩颈、放肩、等径生长的晶体生长过程，晶体生长结束后，脱模、退火冷却，即得石墨烯量子点掺杂的上转换激光晶体。