1.一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，其特征在于，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2、第一稳压管Z1、第一二极管D1、第二二极管D2和第一n-mos管S1和第二n-mos管S2，第一电容C1与第一稳压管Z1并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1、T2输出端连接，第一电容C1与第一稳压管Z1的后端与第一二极管D1的正极、第二电阻R2、第三电阻R3的前端和第一n-mos管S1的源极连接，第一二极管D1的负极通过第二电容C2、第一电阻R1的并联电路与接地端、第四电阻R4的后端连接，第二电阻R2的后端与第二二极管D2的负极连接，第一n-mos管S1的漏极与第二n-mos管S2的漏极连接，第一n-mos管S1和第二n-mos管S2的栅极通过第四电阻R4与接地端连接，第二二极管D2的正极、第三电阻R3的后端、第二n-mos管S2的源极与第五电阻R5的前端、SiC MOSFET Q1,，Q2的栅极连接，第五电阻R5的后端与接地端连接。

2.如权利要求1所述的具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，其特征在于，导通瞬态时，第一电容C1与第二电容C2构成分压电路，第一电容C1为SiC MOSFET提供正压驱动，导通稳态：第一稳压管Z1与驱动电源Vcc共同作用提供正压，通过配置C1、C2比值与Z1和Vcc取值加速导通过程。

3.如权利要求1所述的具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，其特征在于，关断期间通过无源器件第一稳压管Z1和第一电容C1的共同作用制造负压，从而无需额外的负压源，并加速了关断过程。

4.如权利要求1所述的具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，其特征在于，第一n-mos管S1、第二n-mos管S2构成的回路在SiC MOSFET关断时由于第一稳压管Z1和第一电容C1的共同作用制造的负压而打开，形成了一条低阻抗回路，为串扰电流igd提供旁路，抑制了串扰产生的电压尖峰。

5.如权利要求1所述的具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，其特征在于，为达到更好的串扰抑制效果，第一n-mos管S1、第二n-mos管S2选取20V，1A，低导通电阻的n-mosfet。