1.一种NiS2增强石墨烯基SERS装置，该装置的具体结构为M‑NiS2/NiS‑石墨烯，其中，M为贵金属纳米层，NiS2/NiS为交替的NiS2和NiS纳米多层结构；所述纳米多层结构的层数是

5‑20层，每层NiS2的厚度为1‑5nm，每层NiS的厚度为1‑5nm；其制备方法包括以下步骤：（1）以聚苯乙烯胶体球模板为衬底，在其表面化学气相沉积石墨烯层；

（2）在石墨烯层表面原子层沉积交替的NiS2和NiS纳米多层结构；

（3）在交替的NiS2和NiS纳米多层结构表面磁控溅射贵金属纳米层。

2.如权利要求1所述的一种NiS2增强石墨烯基SERS装置，其特征在于：所述贵金属纳米层的厚度为5‑50nm，所述贵金属选自Au、Ag中的一种。

3.一种如权利要求1‑2任一项所述的一种NiS2增强石墨烯基SERS装置的制备方法，包括以下步骤：

（1）以聚苯乙烯胶体球模板为衬底，在其表面化学气相沉积石墨烯层；

（2）在石墨烯层表面原子层沉积交替的NiS2和NiS纳米多层结构；

（3）在交替的NiS2和NiS纳米多层结构表面磁控溅射贵金属纳米层。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于：其中，所述原子层沉积步骤中，采用镍脒基化合物作为镍源，所述镍脒基化合物选自双(N，N’‑二异丙基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’‑二(甲、乙)基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’‑二(叔、异、正)丁基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’‑二(叔、异、正、环)戊基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’‑二环己基(甲～丁)脒基)镍中的一种。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：沉积NiS2层的硫源为硫化氢等离子体，沉积NiS层的硫源为硫化氢气体。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：原子层沉积交替的NiS2和NiS纳米多层结构的具体步骤包括：

（A）A1、将所述镍源引入ALD反应器中；A2、接着将硫化氢等离子体引入反应器中；重复A1、A2得到NiS2单层；

（B）B1、将所述镍源引入ALD反应器中；B2、接着将硫化氢气体引入反应器中；重复B1、B2得到NiS单层；

（C）重复(A）、（B），得到交替的NiS2和NiS纳米多层结构。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：原子层沉积的温度为100‑250℃。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：在步骤A1、A2、B1、B2之间还包括吹扫步骤，通过向反应器中通入惰性气体，将多余的镍源、硫源、反应副产物吹扫出去。