1.一种NiS2增强石墨烯基SERS装置，该装置的具体结构为M-NiS2/NiS-石墨烯，其中，M为贵金属纳米层，NiS2/NiS为交替的NiS2和NiS纳米多层结构。

2.如权利要求1所述的一种NiS2增强石墨烯基SERS装置，其特征在于：所述贵金属纳米层的厚度为5-50nm，所述贵金属选自Au、Ag、Cu中的一种。

3.如权利要求1所述的一种NiS2增强石墨烯基SERS装置，其特征在于：所述纳米多层结构的层数是5-20层，每层NiS2的厚度为1-5nm，每层NiS的厚度为1-5nm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的一种NiS2增强石墨烯基SERS装置的制备方法，包括以下步骤：（1）以聚苯乙烯胶体球模板为衬底，在其表面化学气相沉积石墨烯层；

（2）在石墨烯层表面原子层沉积交替的NiS2和NiS纳米多层结构；

（3）在交替的NiS2和NiS纳米多层结构表面磁控溅射贵金属纳米层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：其中，所述原子层沉积步骤中，采用镍脒基化合物作为镍源，所述镍脒基化合物选自双(N，N’-二异丙基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’-二(甲、乙)基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’-二(叔、异、正)丁基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’-二(叔、异、正、环)戊基(甲～丁)脒基)镍、双(N，N’-二环己基(甲～丁)脒基)镍中的一种。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：沉积NiS2层的硫源为硫化氢等离子体，沉积NiS层的硫源为硫化氢气体。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：原子层沉积交替的NiS2和NiS纳米多层结构的具体步骤包括：（A）A1、将所述镍源引入ALD反应器中；A2、接着将硫化氢等离子体引入反应器中；重复A1、A2得到NiS2单层；

（B）B1、将所述镍源引入ALD反应器中；B2、接着将硫化氢气体引入反应器中；重复B1、B2得到NiS单层；

（C）重复A、B，得到交替的NiS2和NiS纳米多层结构。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：原子层沉积的温度为100-250℃。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：在步骤A1、A2、B1、B2之间还包括吹扫步骤，通过向反应器中通入惰性气体，将多余的镍源、硫源、反应副产物等吹扫出去。